[发明专利]一种基于无机钙钛矿太赫兹波开关有效
| 申请号： | 201911019224.6 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110752421B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 陈莲娜;李九生 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | H01P1/10 | 分类号： | H01P1/10;G02F1/01 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 傅朝栋;张法高 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 无机 钙钛矿太 赫兹 开关 | ||
1.一种基于无机钙钛矿太赫兹波开关，其特征在于，包括硅基底(1)、金属阵结构(2)、无机钙钛矿(3)；硅基底(1)位于底层，金属阵结构(2)平铺于硅基底(1)上表面，金属阵结构(2)在二维平面上以行阵列的形式周期性排列，其中每个行阵列包含若干个线性排布的结构单元；每个结构单元由一条U型金属条带(4)和两条L型金属条带(5)组成，呈镜像对称，其中两条L型金属条带(5)以背对背的形式布置，两条L型金属条带(5)的垂直段平行且保持间隔，形成第一缺口，两条L型金属条带(5)的水平段向相反方向延伸，U型金属条带(4)的开口朝向两条L型金属条带(5)，且U型金属条带(4)两侧的垂直段与两条L型金属条带(5)的水平段之间分别保持间隔，形成第二缺口和第三缺口；所述第一缺口、第二缺口和第三缺口处分别由无机钙钛矿(3)进行填充衔接；同一行阵列中相邻两个结构单元的L型金属条带(5)串联；在金属阵结构(2)左右两侧设有一个偏置直流电压源，每个行阵列中位于两侧的L型金属条带(5)分别连接偏置直流电压源的两极；太赫兹波在金属阵结构(2)上方从几何中心处垂直输入，调节外加偏置直流电压源的电压会改变无机钙钛矿电导率，实现不同外加电场时控制输出端太赫兹波传输的通断，进而实现开关的功能。
2.如权利要求1所述的基于无机钙钛矿太赫兹波开关，其特征在于，所述的硅基底(1)的电阻率大于10000Ωcm，厚度为500μm。
3.如权利要求1所述的基于无机钙钛矿太赫兹波开关，其特征在于，所述的金属阵结构(2)中，U型金属条带(4)的水平段外边长为72～80μm，两侧垂直段外边长均为72～80μm，条带宽度为4～5μm，厚度为200nm。
4.如权利要求1所述的基于无机钙钛矿太赫兹波开关，其特征在于，所述的金属阵结构(2)中，L型金属条带(5)的水平段外边长为65～70μm，垂直段外边长为30～35μm，条带宽度为4～5μm，厚度为200nm。
5.如权利要求1所述的基于无机钙钛矿太赫兹波开关，其特征在于，所述的三个缺口处的无机钙钛矿(3)厚度均为150nm～200nm，长度均为4～5μm，宽度均为4～5μm。
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