[发明专利]同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底有效
| 申请号： | 201911013915.5 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110797259B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 王元刚;冯志红;吕元杰;张志荣;周幸叶;谭鑫;宋旭波;梁士雄 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/306;H01L29/20 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 同质 外延 氮化 衬底 处理 方法 | ||
1.一种同质外延氮化镓衬底处理方法，其特征在于，包括：
在氮化镓衬底外延生长异质结前，对所述氮化镓衬底进行干法刻蚀工艺处理，且刻蚀角度不等于90度，所述刻蚀角度为所述氮化镓的等离子体加速方向与所述氮化镓衬底的夹角角度；
对所述氮化镓衬底进行至少两次的干法刻蚀工艺处理，且每次干法刻蚀工艺的刻蚀角度不同；
至少一次刻蚀角度小于90度；至少一次刻蚀角度大于90度。
2.如权利要求1所述的同质外延氮化镓衬底处理方法，其特征在于，还包括：所述刻蚀角度满足：0°a180°，其中，a表示刻蚀角度。
3.如权利要求1所述的同质外延氮化镓衬底处理方法，其特征在于，至少一次所述刻蚀角度满足：30°a60°，其中，a表示刻蚀角度。
4.如权利要求1所述的同质外延氮化镓衬底处理方法，其特征在于，至少一次所述刻蚀角度满足：120°a150°，其中，a表示刻蚀角度。
5.如权利要求1所述的同质外延氮化镓衬底处理方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺包括电感耦合等离子体刻蚀工艺。
6.如权利要求1所述的同质外延氮化镓衬底处理方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺包括反应离子刻蚀工艺。
7.如权利要求1所述的同质外延氮化镓衬底处理方法，其特征在于，在干法刻蚀工艺处理后，对所述氮化镓衬底进行湿法腐蚀处理。
8.一种氮化镓衬底，其特征在于，所述氮化镓衬底根据权利要求1至7任一项所述的方法处理得到。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911013915.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
