[发明专利]真空处理装置和维护装置

说明书

本发明提供一种真空处理装置和维护装置。抑制进行基板的输送的输送系统的污染地更换消耗零件。维护装置(100)相对于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)保持气密性、同时安装于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)，该等离子体蚀刻装置(10)在处理容器(30)设有与用于晶圆(W)的输入输出的第1闸门(84)不同的第2闸门(95)。维护装置(100)经由第2闸门(95)进行处理容器(30)内的消耗零件的拆卸、消耗零件向处理容器(30)内的安装、处理容器(30)内的清扫中的至少一者。

本申请是申请号为201810150376.9、申请日为2018年2月13日、发明名称为“真空处理装置和维护装置”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的各种方面和实施方式涉及真空处理装置和维护装置。

背景技术

以往以来，公知有将半导体晶圆(以下称为“晶圆”。)等基板配置于设为真空的处理容器而实施对基板进行加工的各种处理的真空处理装置。例如，作为真空处理装置，公知有在设为真空的处理容器内配置晶圆、使用等离子体对晶圆进行蚀刻的蚀刻处理的等离子体蚀刻装置。

这样的真空处理装置存在如下情况：由于在基板的加工中所实施的处理而消耗的消耗零件存在于处理容器内，消耗零件的更换成为必要。例如，在等离子体蚀刻装置中，设于晶圆的外周的聚焦环由于蚀刻处理而消耗。在等离子体蚀刻装置中，由于聚焦环的消耗而对蚀刻速度等存在影响。因此，在等离子体蚀刻装置中，若消耗量较多，则需要更换聚焦环。

这样的消耗零件的更换是将处理容器大气开放来进行。不过，在真空处理装置中，在使处理容器暂且大气开放了的情况下，由于处理容器内的温度调整、水分控制，直到使基板处理再次开始为止需要相当长的时间，生产率降低。

因此，提出了如下技术：在真空状态下直接借助向真空处理装置输送基板的输送系统来更换消耗零件，不使处理容器向大气开放，就更换消耗零件(参照例如下述专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-196691号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在借助输送基板的输送系统来更换消耗零件的情况下，存在污染输送系统的情况。例如若将聚焦环与1张晶圆相比，则从新品到被更换为止的期间内，进行相当次数的蚀刻处理，相应地也附着有蚀刻中的所谓沉积物。在借助输送晶圆的输送臂等的输送系统来更换了这样的聚焦环的情况下，成为微粒在输送系统产生的主要原因。若在输送系统产生微粒，则为了清洁，需要使输送系统停止来进行维护。

用于解决问题的方案

在1个实施形态中，所公开的真空处理装置具有消耗零件和处理容器。消耗零件由于在基板的加工中所实施的处理而消耗。处理容器在内部配置有消耗零件，设有：第1闸门，其用于基板的输入输出；第2闸门，用于更换消耗零件的维护装置能够相对于该第2闸门拆装。

另外，在1个实施形态中，所公开的维护装置具有壳体和维护机构。壳体形成有与真空处理装置的第2闸门相对应的尺寸的开口部，该真空处理装置在处理容器设有用于基板的输入输出的第1闸门和与第1闸门不同的第2闸门，该壳体相对于第2闸门保持气密性、同时开口部能够安装于该第2闸门。维护机构收容于壳体内部，经由开口部进行处理容器内的消耗零件的拆卸、消耗零件向处理容器内的安装、处理容器内的清扫中的至少1者。

发明的效果