[发明专利]一种定位标识的制作方法

说明书

本发明提供了一种定位标识的制作方法，包括：提供样品，所述样品为非导电样品；在所述样品待制作定位标识的表面形成导电结构，并使所述导电结构接地，其中，所述导电结构暴露出所述表面待制作定位标识的目标区域；在所述样品表面的目标区域制作定位标识。由于导电结构位于非导电样品待制作定位标识的表面且接地，因此，可以将样品表面的电荷导出，减少样品表面电子或电荷的残留，进而可以提高图像的质量，避免图像的漂移，进而在样品表面的目标区域制作定位标识时，可以解决由于图像漂移等导致定位标识不能准确地制作在目标区域的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种定位标识的制作方法。

背景技术

在三维存储器(3D-NAND)制造工艺中，为了监测正在进行的各个环节的工艺结果，通常需要对半成品的样品进行切样分析，如对三维存储器的ONO(Oxygen-Nitrogen-Oxygen，氧氮氧)结构的样品进行切样分析。

在进行切样分析时，为了提高制样的准确性，需要采用FIB(Focused Ion beam，聚焦离子束)在样品的目标区域制作定位标识。但是，对于绝缘或导电性很差的样品而言，定位标识并不能准确地制作在目标区域，导致定位标识无法精确定位。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种定位标识的制作方法，以提高制作的定位标识的准确性，提高定位标识的定位精确度。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种定位标识的制作方法，包括：

提供样品，所述样品为非导电样品；

在所述样品待制作定位标识的表面形成导电结构，并使所述导电结构接地，其中，所述导电结构暴露出所述表面待制作定位标识的目标区域；

在所述样品表面的目标区域制作定位标识。

可选地，所述样品设置在基底上，在所述样品待制作定位标识的表面形成导电结构，并使所述导电结构接地包括：

在所述样品待制作定位标识的表面形成连接所述样品表面和所述基底的导电结构，并使所述基底接地。

可选地，在所述样品待制作定位标识的表面形成连接所述样品表面和所述基底的导电结构包括：

在所述基底上形成第一导电膜层，所述第一导电膜层位于所述样品的侧边，且所述第一导电膜层连接固定所述样品和所述基底，所述基底接地；

在所述样品待制作定位标识的表面形成第二导电膜层，所述第二导电膜层暴露出所述目标区域，且所述第二导电膜层连接所述样品表面和所述第一导电膜层。

可选地，形成第一导电膜层包括：

在所述基底上沉积导电材料；

形成第二导电膜层包括：

在所述样品待制作定位标识的表面沉积导电材料。

可选地，所述目标区域位于所述样品表面的中间区域，在所述样品待制作定位标识的表面形成导电结构包括：

在所述样品待制作定位标识的表面的非目标区域形成导电结构，所述非目标区域位于所述目标区域的四周。

可选地，所述基底为铜基底；或者，所述基底为硅基底。

可选地，所述导电材料为金属材料。

可选地，所述金属材料为钨。

可选地，在所述样品表面的目标区域制作定位标识包括：

利用FIB设备对所述样品表面的目标区域进行刻蚀或沉积膜层来制作定位标识。