[发明专利]一种定位标识的制作方法有效
| 申请号： | 201911001946.9 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110718534B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 邹锭 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨华 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 定位 标识 制作方法 | ||
1.一种定位标识的制作方法，其特征在于，包括：
提供样品，所述样品为非导电样品，所述样品为三维存储器的ONO结构；
在所述样品待制作定位标识的表面和侧边形成导电结构，并使所述导电结构接地，其中，所述导电结构暴露出所述表面待制作定位标识的目标区域；
在所述样品表面的目标区域制作定位标识；
其中，所述样品设置在基底上，在所述样品待制作定位标识的表面和侧边形成导电结构，并使所述导电结构接地，包括：
在所述基底上形成第一导电膜层，所述第一导电膜层位于所述样品的侧边，且所述第一导电膜层连接固定所述样品和所述基底，所述基底接地；
在所述样品待制作定位标识的表面形成第二导电膜层，所述第二导电膜层暴露出所述目标区域，且所述第二导电膜层连接所述样品表面和所述第一导电膜层；
形成第一导电膜层包括：在所述基底上沉积导电材料；
形成第二导电膜层包括：在所述样品待制作定位标识的表面沉积导电材料；
所述导电材料为钨。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标区域位于所述样品表面的中间区域，在所述样品待制作定位标识的表面形成导电结构包括：
在所述样品待制作定位标识的表面的非目标区域形成导电结构，所述非目标区域位于所述目标区域的四周。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底为铜基底；或者，所述基底为硅基底。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述样品表面的目标区域制作定位标识包括：
利用FIB设备对所述样品表面的目标区域进行刻蚀或沉积膜层来制作定位标识。
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