[发明专利]一种IC封装基板阻焊压平的方法

权利要求书

1.一种IC封装基板阻焊压平的方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步、将覆铜层叠板放置在烤板炉中进行烤板，

第二步、对第一步中经过烤板后的覆铜层叠板依次进行减铜作业、钻孔作业、镀铜作业和线路制作作业后，得到阻焊工序所需要的半成品板体，

第三步、对第二步中所得到的半成品板体进行超粗化作业以及涂布作业，其具体步骤为：

步骤1、对完成线路制作后的半成品板体进行AOI光学检查，

步骤2、对经过AOI光学检查的半成品板体进行超粗化作业前的整平作业，

步骤3、对经过整平作业的半成品板体，用清水清洗后完成超粗化作业，超粗化作业对半成品板体表铜层的咬蚀量为0.6um至0.8um，

步骤4、对经过超粗化作业的半成品板体用清水进行清洗后，在无尘车间中使用自动粘尘机对半成品板体表面进行除尘处理，

步骤5、在无尘车间中对经过除尘作业后的半成品板体进行涂布作业，

步骤6、在无尘车间中对经过涂布作业后的半成品板体进行阻焊压平作业，

步骤7、在无尘车间中对经过阻焊压平作业的半成品板体进行光学处理，

步骤8、对经过曝光后的半成品板体进行显影作业，从而剥离半成品板体上不需要的油墨，

在上述第三步的步骤6中使用阻焊压平机进行阻焊压平工作，

该阻焊压平机包括上压膜单元以及下压膜单元，该上压膜单元以及该下压膜单元同时设置在机体中，在该上压膜单元与该下压膜单元之间形成一压平工作区，该压平工作区具有入料口以及出料口，

该上压膜单元包括上送膜辊、上收膜辊、上压膜辊以及上加热器，其中，该上送膜辊设置在该入料口上方，该上收膜辊设置在该出料口上方，若干该上压膜辊排列设置在该入料口与该出料口之间，同时，若干该上加热器也设置在该入料口与该出料口之间，

该下压膜单元与该上压膜单元相对应，该下压膜单元包括下送膜辊、下收膜辊、下压膜辊以及下加热器，其中，该下送膜辊设置在该入料口下方，该下收膜辊设置在该出料口下方，若干该下压膜辊排列设置在该入料口与该出料口之间，同时，若干该下加热器也设置在该入料口与该出料口之间，

压平薄膜的两端分别卷设在该上送膜辊与该上收膜辊以及该下送膜辊与该下收膜辊之间，其中，该上送膜辊以及该下送膜辊逐渐放料，而该上收膜辊以及该下收膜辊逐渐收料，

该阻焊压平机工作时，首先对该上压膜辊以及该下压膜辊进行预热，当其温度升至100℃至110℃之间后进行阻焊压平作业，在进行阻焊压平作业时，压平速度为0.6m/min至0.8m/min，压平压力为6kg/cm²至8kg/cm²。

2.如权利要求1所述的一种IC封装基板阻焊压平的方法，其特征在于：在第一步中，将覆铜层叠板放置在温度170℃至190℃的专用烤板炉中持续烤板2个小时。

3.如权利要求1所述的一种IC封装基板阻焊压平的方法，其特征在于：在步骤2中，使用整平剂进行整平作业，整平槽内整平剂的浓度控制在44g/L-76g/L，整平温度控制在23±2°C，

整平剂由过硫酸钠、硫酸、镉、铅、汞、六价铬、多溴联苯、多溴二苯醚组成，

过硫酸钠、硫酸、镉、铅、汞、六价铬、多溴联苯、多溴二苯醚的重量比例为：10-18:3-5:0.5-1.2：0.5-1.2：0.5-1.2：0.5-1.2：0.5-1.2：0.5-1.2。

4.如权利要求1所述的一种IC封装基板阻焊压平的方法，其特征在于：在步骤3中，超粗化作业的具体操作为，首先在处理槽中加入槽体积30%-40%的超粗化微蚀液，然后将超粗化段的过板速度设定在2.2m/min至2.4m/min，超粗化微蚀液对板面的压力设定在0.6kg/cm²至1.5kg/cm²，加热使处理槽中的药液温度达到37℃至39℃，以完成超粗化作业，超粗化微蚀液为浓度为5%-10%的甲酸溶液。