[发明专利]一种晶圆打点设备在审

专利信息
申请号: 201910998751.X 申请日: 2019-10-21
公开(公告)号: CN110752138A 公开(公告)日: 2020-02-04
发明(设计)人: 谭燕玲 申请(专利权)人: 谭燕玲
主分类号: H01J37/34 分类号: H01J37/34;C23C14/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 反应箱体 粒子 挡板 空心三角锥 打点设备 电场装置 机体顶部 急速变化 粒子频率 粒子吸收 输送辊筒 物理性质 弹起 动力轴 最大化 底脚 溅镀 种晶 反弹 吸收
【说明书】:

发明公开了一种晶圆打点设备,其结构包括:机体、反应箱体、输送辊筒、动力轴、底脚,所述机体顶部位置设有反应箱体,本发明的有益效果:通过在结构上设有反应箱体来解决这个问题,利用反应箱体中的电场装置改变电子的物理性质,通过带动分子急速变化与粒子频率实现同步,同时借助粒子挡板独特的空心三角锥构造避免粒子弹起后撞到粒子挡板后再次下落对圆晶产生二次溅镀作用,并且配有粒子吸收器加速吸收反弹的粒子,最大化程度减少粒子对圆晶产生的二次不良反应影响。

技术领域

本发明涉及圆晶生产领域,尤其是涉及到一种晶圆打点设备。

背景技术

圆晶作为一种价值极高的芯片载体,其处理工艺相当复杂,一般是先将圆晶适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在圆晶上完成束层电路及元件加工制作,其中溅镀也叫打点,是用高速粒子撞击固体表面将固体表面的原子撞击出来,利用这一现象来形成薄膜,在此过程中,由于电场的振荡频率变化太快,很容易使正离子跟不上变化而让固体表面呈现阴极效应造成打点失败,同时粒子在撞击的过程中会再次下落对圆晶形成二次溅镀作用影响最终的成品效果,基于以上前提,本案研发了一种晶圆打点设备以解决这个问题。

发明内容

针对现有技术的不足,本发明是通过如下的技术方案来实现:一种晶圆打点设备,其结构包括:机体、反应箱体、输送辊筒、动力轴、底脚,所述机体顶部位置设有反应箱体,反应箱体侧边连接输送辊筒与动力轴,输送辊筒、动力轴两者彼此相连并联动,底脚位于机体底部四角,机体整体为长方体结构,其为高强度金属板块组成并且内有空腔可用于装载设备的其他构件,一方面是用于承载构建的安装与连接,为其提供装配空间,另一方面则是用于为构件提供防护,外壳能够保护构件在受到外界冲击时最大程度的降低对内部构件的损害,避免冲击力导致设备故障,反应箱体为设备对圆晶实施加工的结构,输送辊筒为设备在加工完圆晶之后对其进行输出的结构,主要是用于圆晶完整制作后的成品输出,其整体为空心圆柱体构造,柱体尺寸相较与圆晶的圆形直径较大,采用螺旋式输出方式可有效避免圆晶受到损伤,动力轴为设备的核心动力结构,主要用于驱动输送辊筒以旋转方式运作将圆晶推出,同时为机体的其他构件起到动力供给的作用,底脚为机体的底部承重结构,其采用高强度橡胶材料制成,具有防滑、耐摩擦的作用,能够起到防止偏移的效果,避免设备在运转时产生的轻微震动力传递至地面造成输送辊筒抖动,有效提高圆晶的完整率。

作为本发明进一步技术补充,所述反应箱体由反应腔、电场装置、发射板、靶材腔、粒子挡板、圆晶放置板、正极板、粒子吸收器组成,所述反应腔顶部位置设有电场装置并与其相连,电场装置底部通过发射板连接靶材腔,靶材腔下方位置对应设有粒子挡板,粒子挡板下则设有圆晶放置板与正极板,粒子吸收器位于反应腔两侧并对应粒子挡板,反应腔为反应箱体的内部空腔结构,主要作为圆晶生产加工的操作反应空间,在圆晶处于加工的过程中会形成一个全封闭式的加工环境,可有效避免加工的粒子物质泄露,提升设备的操作安全性,发射板用于发射高速粒子以反应生成原子,靶材腔为放置撞击所产生原子的指向靶材料,其形状构造为矩形空腔结构,大面积的靶面能有效提升撞击的效率与原子析出的数量,圆晶放置板用于平放需要进行溅镀的圆晶半成品,其面积尺寸与发射板相等,能够有效避免发射的粒子撞击在圆晶放置位置的盲区,该结构能够保证粒子全部处于圆晶的铺设范围内,正极板用于释放电场正极电荷和圆晶相互反应。

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