[发明专利]一种利用溅镀实现晶圆的物理镀膜设备

说明书

本发明公开了一种利用溅镀实现晶圆的物理镀膜设备，其结构包括机体、真空镀膜腔体、机头、散热口，机体与机头为一体化，机头上设有用于控制真空镀膜腔体的控制面板，散热口设于机体的下方侧边，真空镀膜腔体的内部设有真空抽吸口、绝缘体、水冷口、电极发射层、溅镀气体入口、镀膜靶材层、正极基底、靶材均分板、拉杆，真空抽吸口与溅镀气体入口对称分布在真空镀膜腔体的两侧，电极发射层中携带有负极与正极基底、靶材均分板、镀膜靶材层正对，本发明靶材首先喷溅在靶材均分板上，利用集材腔、连接通杆与螺旋式均分腔，螺旋式均分腔配合转盘，在高速转动下将靶材均匀扩散在晶圆表面上，避免出现阶梯披覆合作和厚度不均的问题。

技术领域

本发明涉及晶圆镀膜技术领域，特别的，是一种利用溅镀实现晶圆的物理镀膜设备。

背景技术

晶圆镀膜是通过物理或者其他方式（如高温等）使晶圆上产生一层二氧化硅，二氧化硅为绝缘材料，但有杂质和特殊处理的二氧化硅有一定的导电性，二氧化硅的作用是为了传导光，溅镀是物理镀膜的一种方法，与蒸发毫无关系，溅镀在真空环境下，通入适当的惰性气体作为媒介，靠惰性气体加速撞击靶材，使靶材表面原子被撞击出来，并在晶圆表面形成镀膜，由于靶材是一整面而不是一点接受轰击，所以喷溅出来的材质不仅会作用在晶圆上同时也会扩散到真空室内壁上，以致于造成靶材少部分浪费，另外，晶圆的大面积镀膜容易出现阶梯披覆也就是厚度不均匀的问题。

发明内容

针对上述问题，本发明提供一种利用溅镀实现晶圆的物理镀膜设备。

为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种利用溅镀实现晶圆的物理镀膜设备，其结构包括机体、真空镀膜腔体、机头、散热口，所述机体与机头为一体化，机头上设有用于控制真空镀膜腔体的控制面板，所述散热口设于机体的下方侧边，所述真空镀膜腔体的内部设有真空抽吸口、绝缘体、水冷口、电极发射层、溅镀气体入口、镀膜靶材层、正极基底、靶材均分板、拉杆，所述真空抽吸口与溅镀气体入口对称分布在真空镀膜腔体的两侧，所述电极发射层中携带有负极与正极基底、靶材均分板、镀膜靶材层正对，所述镀膜靶材层固定在电极发射层上，在所述电极发射层的两侧设有水冷口，所述水冷口与真空镀膜腔体配合间装有绝缘体，所述靶材均分板通过拉杆固定。

作为本发明的进一步改进，所述拉杆呈斜向45°固定在真空镀膜腔体的内表壁。

作为本发明的进一步改进，所述靶材均分板的中心凸起为实心的圆锥状。

作为本发明的进一步改进，所述靶材均分板组成有集材腔、连接通杆、底盘、均分扩散盘，所述均分扩散盘固定在底盘上，所述集材腔用连接通杆固定在底盘上，并通过连接通杆与均分扩散盘、集材腔三者内部贯通。

作为本发明的进一步改进，所述集材腔为双腔式，其内腔与外腔之间通过设有的扣合口固定，外腔为硬材料制成，而内腔采用橡胶制成，采用扣合式能够方便于内腔的更换。

作为本发明的进一步改进，所述均分扩散盘包括导入口、转盘、均分口、导入通道，所述导入口与导入通道焊接在一起，所述转盘与均分口同圆心，所述导入口、导入通道与均分口内部相通。

作为本发明的进一步改进，所述转盘中设有螺旋式均分腔，该均分腔与均分口互通，螺旋式的结构设计能够均匀分布靶材在每一个扩散口中防止出现覆盖堆积。

作为本发明的进一步改进，所述连接通杆与均分扩散盘形成碗状结构。

与现有技术相比，本发明的有益效果：

1、本发明靶材首先喷溅在靶材均分板上，利用集材腔、连接通杆与螺旋式均分腔，螺旋式均分腔配合转盘，在高速转动下将靶材均匀扩散在晶圆表面上，避免出现阶梯披覆合作和厚度不均的问题。

2、本发明连接通杆与底盘、均分扩散盘形成的碗状结构，连接通杆呈斜向角度，较有利于靶材的投放。