[发明专利]一种微米级Cr在审
| 申请号： | 201910993279.0 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN110592674A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 王明超;冯钊杰;罗星娜;卢若云 | 申请（专利权）人： | 中国民航大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B29/62;C30B1/10 |
| 代理公司： | 12108 天津才智专利商标代理有限公司 | 代理人： | 庞学欣 |
| 地址： | 300300 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微米级 晶须 制备 氯化钠 氩气保护气氛 氯化钾 葡萄糖 三氧化二铬 高温煅烧 晶须生长 绿色环保 制备工艺 长径比 短棒状 前驱体 碳化铬 弯曲状 镍粉 球磨 炭黑 预制 生产 | ||
【权利要求书】：
1.一种微米级Cr3C2晶须的制备方法，其特征在于：所述的制备方法包括按顺序进行的下列步骤：
(1)将三氧化二铬、炭黑、葡萄糖、镍粉、氯化钠与氯化钾按照2-3:5-8:1-2:1.1-1.3:0.9-1.1:0.9-1.1的摩尔比进行混合，然后置于行星式球磨机中，在250r/min的转速下球磨6-8h，获得晶须生长前驱体；
(2)将上述晶须生长前驱体放置于管式炉中，在氩气保护气氛下，按3-5℃/min的升温速率加热至1100-1300℃而进行高温锻烧并除碳，保温2-5h后按小于等于5℃/min的降温速率降温至900℃，然后随炉冷却；
(3)将步骤(2)得到的产物，在空气气氛下，以10℃/min的升温速率加热至500℃，保温30min后即可制成纯度较高的微米级Cr3C2晶须。
2.根据权利要求1所述的微米级Cr3C2晶须的制备方法，其特征在于：所述的步骤(1)中的炭黑粒径为0.28μm。
3.根据权利要求1所述的微米级Cr3C2晶须的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中的镍粉粒径为5-8μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国民航大学，未经中国民航大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910993279.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高品质的大尺寸碳化硅晶体生长方法
- 下一篇：氮化物晶体基板及其制造方法
