[发明专利]一种1T’相过渡金属硫族化合物量子点的制备方法

权利要求书

1.一种1T’相过渡金属硫族化合物量子点的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：以1T’相过渡金属硫族化合物块体材料、活性炭粉为原料，玻璃为衬底，制备1T’相过渡金属硫族化合物材料电极；

S2：配制十六烷基溴化铵的乙腈溶液；

S3：以所述1T’相过渡金属硫族化合物材料电极为阴极，以所述十六烷基溴化铵的乙腈溶液为电解液，以碳棒电极为阳极，组装电化学反应装置；

S4：对所述电化学反应装置通电，进行电化学反应；

S5：电化学反应后，将所述阴极上的所述1T’相过渡金属硫族化合物移入N,N-二甲基甲酰胺溶剂中，得到混合液；

S6：对所述混合液进行摇晃后，进行离心分离，取离心分离后的上清液，得到所述1T’相过渡金属硫族化合物量子点。

2.如权利要求1所述的1T’相过渡金属硫族化合物量子点的制备方法，其特征在于，所述1T’相过渡金属硫族化合物选自MoS₂量子点和MoSe₂量子点中的一种。

3.如权利要求1或2所述的1T’相过渡金属硫族化合物量子点的制备方法，其特征在于，步骤S1包括：

S1-1：在常温条件下，将1T’相过渡金属硫族化合物块体材料、活性炭粉，置于乙醇中进行研磨，制得乙醇悬浮液；

S1-2：将所述乙醇悬浮液凃于玻璃衬底上，并于60℃条件下进行干燥，制得所述1T’相过渡金属硫族化合物材料电极。

4.如权利要求3所述的1T’相过渡金属硫族化合物量子点的制备方法，其特征在于，所述乙醇悬浮液中所述1T’相过渡金属硫族化合物块体材料与所述活性炭粉的质量比范围为(1:1)～(9:1)。

5.如权利要求3所述的1T’相过渡金属硫族化合物量子点的制备方法，其特征在于，步骤S1-2中所述干燥的时间为2h。

6.如权利要求1或2所述的1T’相过渡金属硫族化合物量子点的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述十六烷基溴化铵的乙腈溶液的浓度范围为5mg/mL～15mg/mL。

7.如权利要求1或2所述的1T’相过渡金属硫族化合物量子点的制备方法，其特征在于，步骤S4中所述电化学反应的电压范围为5V～10V；所述电化学反应的时间范围为30min～90min。

8.如权利要求1或2所述的1T’相过渡金属硫族化合物量子点的制备方法，其特征在于，步骤S6中所述摇晃的时间范围为5min～10min。

9.如权利要求8所述的1T’相过渡金属硫族化合物量子点的制备方法，其特征在于，步骤S6中所述的离心分离包括：

S6-1：以3000rpm的转速对所述混合液进行第一次离心分离10min～20min后，取第一次离心分离的上清液；

S6-2：以13000rpm～14800rpm的转速对所述第一次离心分离的上清液进行第二次离心分离10min～20min后，取第二次离心分离的上清液，即得所述1T’相过渡金属硫族化合物。