[发明专利]一种集成芯片封装结构

说明书

本发明提供了一种集成芯片封装结构，本发明的集成芯片封装结构采用布线金属层的加厚部部或者测试焊盘防止布线金属层在裸芯与塑封材料层的交界面的断裂，可以实现封装良品率的提高，且工艺简单，最大程度的控制了成本。

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，具体涉及一种集成芯片封装结构。

背景技术

扇出型晶圆级封装是一种晶圆级加工的嵌入式芯片封装方法，是目前一种输入/输出端口(I/O)较多、集成灵活性较好的先进封装方法之一。扇出型晶圆级封装相较于常规的晶圆级封装具有其独特的优点：①I/O间距灵活，不依赖于芯片尺寸；②只使用有效裸片(die)，产品良率提高；③具有灵活的3D封装路径，即可以在顶部形成任意阵列的图形；④具有较好的电性能及热性能；⑤高频应用；⑥容易在重新布线层(RDL)中实现高密度布线。

目前，集成芯片封装结构如图5所示，参见图5(a)和5(b)，裸芯10通过塑封材料11进行塑封，通孔13电连接至所述裸芯10的焊盘12上，在所述塑封材料11上布置有金属布线层14，所述金属布线层14作为再分布层连接至通孔13，绝缘层15覆盖所述金属布线层14，并在凸块17和UBM 16的位置留有开口，并且在裸芯10的背面还设置有背面保护层18。在该种结构中，金属布线层14需要横跨所述裸芯10与塑封材料11的交界面位置，该封装体在交界面位置处的应力差较大，所述金属布线层14极易产生断裂，形成断裂部C，其大大降低了良品率，且不利于降低封装的成本。

发明内容

基于解决上述问题，本发明提供了一种集成芯片封装结构，其包括：

裸芯，在其顶面具有焊盘；

塑封材料层，覆盖所述裸芯的顶面和侧面；

通孔，嵌入于所述塑封材料层中且电连接所述焊盘；

布线金属层，其设置于所述塑封材料层上且电连接所述通孔；

绝缘层，其覆盖所述布线金属层，且具有露出所述布线金属层的一部分的开口；

凸块，形成于所述开口中；

其特征在于，所述布线金属层具有横跨所述裸芯与所述塑封材料层的交界面的加厚部。

其中，所述加厚部包括嵌入所述塑封材料层的第一部分，所述第一部分与所述布线金属层的其他部分一体成型，其采用例如CVD、PVD、溅射、电镀等方法形成。

其中，所述加厚部包括嵌入所述塑封材料层的第一部分，所述第一部分的材质区别于所述布线金属层的其他部分。

其中，所述第一部分为绝缘层材料，所述绝缘材料为弹性材料，所述弹性材料为橡胶或硅树脂材料。

其中，还包括凸块下金属层(UBM)，其形成于所述凸块与布线金属层之间。

本发明还提供了另一种集成芯片封装结构，其包括：

裸芯，在其顶面具有焊盘；

塑封材料层，覆盖所述裸芯的顶面和侧面；

通孔，嵌入于所述塑封材料层中且电连接所述焊盘；

布线金属层，其设置于所述塑封材料层上且电连接所述通孔；

绝缘层，其覆盖所述布线金属层，且具有露出所述布线金属层的一部分的开口；

凸块，形成于所述开口中；

其特征在于，在所述绝缘层中还具有焊盘，所述焊盘从所述绝缘层中露出且电连接所述布线金属层，所述焊盘横跨所述裸芯与所述塑封材料层的交界面。

其中，所述焊盘为硬质金属层，例如钨等。

其中，所述焊盘用作测试焊盘。