[发明专利]图像传感器及电子设备、图像处理方法和存储介质

说明书

本申请实施例公开了一种图像传感器及电子设备、图像处理方法和存储介质，其中，所述图像传感器包括：至少两个像素单元，构成用于感光的阵列；每一所述像素单元包括：N个感光区，N为大于等于2的自然数；每一所述感光区内包括M层以同一特定方向排布的光电二极管，M为大于等于2的自然数，且不同所述感光区中的光电二极管的排布方向不同；其中，同一所述感光区的不同层中的光电二极管的尺寸不同，分别用于吸收在所述特定方向偏振的对应波长的光信号。

技术领域

本申请实施例涉及图像传感器领域，涉及但不限于一种图像传感器及电子设备、图像处理方法和存储介质。

背景技术

图像传感器是构成摄像头的重要部件之一，被广泛应用于数码成像、航空航天以及医疗影像等领域。图像传感器根据元件的不同，可分为CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合元件)和CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体元件)两大类。

现有的偏振式CIS(CMOS Image Sensor，互补金属氧化物半导体图像传感器)的实现方式是在PD(Photo Diode，光电二极管)结构上面放置多个不同角度的偏振片，且将多个像素作为一个计算单元，通过不同方向偏振器之间的关联能够计算偏振的程度和方向。但是，现有的偏振式CIS一般都是黑白的，无法用于彩色偏振成像，同时现有技术每个像素只能获得一种颜色的偏振光，浪费了很多能量。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种图像传感器及电子设备、图像处理方法和存储介质。

本申请实施例的技术方案是这样实现的：

第一方面，本申请实施提供一种图像传感器，所述图像传感器包括：

至少两个像素单元，构成用于感光的阵列；

每一所述像素单元包括：N个感光区，N为大于等于2的自然数；

每一所述感光区内包括M层以同一特定方向排布的光电二极管，M为大于等于2的自然数，且不同所述感光区中的光电二极管的排布方向不同；

其中，同一所述感光区的不同层中的光电二极管的尺寸不同，分别用于吸收在所述特定方向偏振的对应波长的光信号。

本申请实施例中，所述图像传感器还包括：

图像处理单元，用于利用每一所述像素单元内感光区的不同层吸收的特定方向偏振的不同波长的光信号，确定对应的像素单元的偏振信息和色彩信息，根据所述像素单元的偏振信息和色彩信息确定所述像素单元对应的彩色偏振图像；

其中，所述偏振信息包括偏振的大小和方向。

本申请实施例中，所述像素单元中每一光电二极管为亚波长的光电二极管；

其中，所述亚波长的光电二极管的形状至少包括：椭圆形和长方形。

本申请实施例中，所述像素单元还包括读出电路，所述读出电路为每一所述感光区的每一层中光电二极管对应的读出电路；其中，所述读出电路包括：

传输门，用于将光电二极管产生的电荷从感光区转移到读出区；

所述读出区，用于存储电荷。

本申请实施例中，所述读出电路还包括：

与所述读出区连接的复位晶体管，用于将所述读出区复位到高电平；

与所述读出区连接的源极跟随器，用于当所述读出区为高电平时，将所述读出区中的电荷转换为电压并放大；

与所述源极跟随器连接的选择晶体管，用于将转换后的电压信号进行读出。