[发明专利]图像传感器及电子设备、图像处理方法和存储介质有效

专利信息
申请号: 201910983914.7 申请日: 2019-10-16
公开(公告)号: CN110740236B 公开(公告)日: 2021-11-12
发明(设计)人: 杨鑫 申请(专利权)人: OPPO广东移动通信有限公司
主分类号: H04N5/225 分类号: H04N5/225;H04N5/374
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 王姗姗;张颖玲
地址: 523860 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器 电子设备 图像 处理 方法 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括:

至少两个像素单元,构成用于感光的阵列;

每一所述像素单元包括:N个感光区,N为大于等于2的自然数;

每一所述感光区内包括三层以同一特定方向排布的多个光电二极管,其中:第一层中的多个光电二极管用于吸收蓝光,且厚度为80纳米至500纳米;第二层中的多个光电二极管用于吸收绿光,且厚度为500纳米至1000纳米;第三层中的多个光电二极管用于吸收红光,且厚度为1000纳米至2000纳米,且不同所述感光区中的光电二极管的排布方向不同;

其中,同一所述感光区的不同层中的光电二极管的尺寸不同,分别用于吸收在所述特定方向偏振的对应波长的光信号。

2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述图像传感器还包括:

图像处理单元,用于利用每一所述像素单元内感光区的不同层吸收的特定方向偏振的不同波长的光信号,确定对应的像素单元的偏振信息和色彩信息,根据所述像素单元的偏振信息和色彩信息确定所述像素单元对应的彩色偏振图像;其中,所述偏振信息包括偏振的大小和方向。

3.根据权利要求1或2所述的图像传感器,其特征在于,所述像素单元中每一光电二极管为亚波长的光电二极管;

其中,所述亚波长的光电二极管的形状至少包括:椭圆形和长方形。

4.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述像素单元还包括读出电路,所述读出电路为每一所述感光区的每一层中光电二极管对应的读出电路;其中,所述读出电路包括:

传输门,用于将光电二极管产生的电荷从感光区转移到读出区;

所述读出区,用于存储电荷。

5.根据权利要求4所述的图像传感器,其特征在于,所述读出电路还包括:

与所述读出区连接的复位晶体管,用于将所述读出区复位到高电平;

与所述读出区连接的源极跟随器,用于当所述读出区为高电平时,将所述读出区中的电荷转换为电压并放大;

与所述源极跟随器连接的选择晶体管,用于将转换后的电压信号进行读出。

6.根据权利要求3所述的图像传感器,其特征在于,所述图像传感器还包括:

与所述像素单元连接的白色滤色片,用于透过可见光,吸收其他波长的光;

与所述白色滤色片连接的透镜单元,用于将光线聚集在所述像素单元的感光区的开口上,以增强光线的吸收。

7.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括权利要求1至6中任一项所述的图像传感器。

8.一种图像处理方法,其特征在于,应用于图像传感器,所述图像传感器包括:至少两个像素单元,构成用于感光的阵列;每一所述像素单元包括:N个感光区,N为大于等于2的自然数;每一所述感光区内包括三层以同一特定方向排布的多个光电二极管,其中:第一层中的多个光电二极管用于吸收蓝光,且厚度为80纳米至500纳米;第二层中的多个光电二极管用于吸收绿光,且厚度为500纳米至1000纳米;第三层中的多个光电二极管用于吸收红光,且厚度为1000纳米至2000纳米,且不同所述感光区中的光电二极管的排布方向不同;其中,同一所述感光区的不同层中的光电二极管的尺寸不同,分别用于吸收在所述特定方向偏振的对应波长的光信号,所述方法包括:

获取每一所述像素单元内感光区的不同层吸收的特定方向偏振的不同波长的光信号;

利用所述特定方向偏振的不同波长的光信号,确定对应的像素单元的偏振信息和色彩信息;

根据所述像素单元的偏振信息和色彩确定所述像素单元对应的彩色偏振图像。

9.一种存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,该计算机程序被处理器执行时实现权利要求8所述图像处理方法中的步骤。

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