[发明专利]抗干扰电路封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201910983912.8 申请日: 2019-10-16
公开(公告)号: CN110808241B 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 郑宏斌;王朋;孙磊磊;乜士举;王志坤;王占利;郝利涛;陈茂林;张红梅;黄从喜;杨志杰 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: H01L23/60 分类号: H01L23/60;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 柳萌
地址: 050051 *** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 抗干扰 电路 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.抗干扰电路封装结构,其特征在于,包括:

上基板,所述上基板顶面上设有顶层元器件,所述上基板底面上设有底层元器件;

下基板,设于所述上基板底部,所述下基板中部留空,所述留空与所述上基板的底面形成用于容纳所述底层元器件的容纳腔;

金属屏蔽盖,罩设于所述顶层元器件上,且与所述上基板的顶面固接;

所述上基板外周侧壁上设有第一金属化过孔,所述上基板的顶面和底面上分别设有与所述第一金属化过孔导电连接的上基板互联焊盘;所述下基板外周侧壁上设有与所述第一金属化过孔对应的第二金属化过孔,所述下基板的顶面和底面上分别设有与所述第二金属化过孔导电连接的下基板互联焊盘;位于所述下基板的顶面上的所述下基板互联焊盘与位于所述上基板底面的所述上基板互联焊盘焊接;

所述第一金属化过孔和所述第二金属化过孔均为金属半孔;

所述第一金属化过孔和所述第二金属化过孔实现互联,能够实现信号的传输、信号的互联和接地屏蔽作用。

2.如权利要求1所述的抗干扰电路封装结构,其特征在于:所述上基板为多层印制电路基板,所述上基板内部设有上基板盲孔和与所述上基板盲孔导电连接的上基板内部导线,所述顶层元器件通过所述上基板盲孔和所述上基板内部导线形成的上基板内部导电结构与所述第一金属化过孔导电连接,所述底层元器件通过所述上基板盲孔和所述上基板内部导线形成的上基板内部导电结构与所述第一金属化过孔导电连接。

3.如权利要求1所述的抗干扰电路封装结构,其特征在于:所述下基板为多层印制电路基板。

4.如权利要求1所述的抗干扰电路封装结构,其特征在于:所述上基板的顶面上设有用于与所述金属屏蔽盖焊接的屏蔽盖焊盘,所述屏蔽盖焊盘呈环形,且环绕所述顶层元器件的设置区域设置。

5.如权利要求4所述的抗干扰电路封装结构,其特征在于:所述上基板上设有上基板接地通孔,所述屏蔽盖焊盘与所述上基板接地通孔导电连接;所述下基板上设有与所述上基板接地通孔对应并与所述上基板接地通孔导电连接的下基板接地通孔。

6.如权利要求5所述的抗干扰电路封装结构,其特征在于:所述上基板的顶面和底面上分别设有用于与所述上基板接地通孔导电连接的上基板接地焊盘,所述上基板接地焊盘还与所述屏蔽盖焊盘导电连接;所述下基板的顶面和底面上分别设有与所述下基板接地通孔导电连接的下基板接地焊盘,位于所述上基板底面的所述上基板接地焊盘与位于所述下基板顶面的所述下基板接地焊盘焊接。

7.如权利要求1所述的抗干扰电路封装结构,其特征在于:所述上基板的顶面上设有用于与所述顶层元器件焊接的顶层焊盘,所述上基板的底面上设有用于与所述底层元器件焊接的底层焊盘。

8.抗干扰电路封装结构制造方法,用于制造如权利要求1-7中任意一项所述的抗干扰电路封装结构,其特征在于,包括如下步骤:

分别制作所述上基板和所述下基板,在所述下基板中部留空;

使所述上基板和所述下基板固接,并使所述上基板和所述下基板导电连接;

将所述顶层元器件安装于所述上基板的顶面上,将所述底层元器件安装于位于所述容纳腔中的所述上基板的底面上;

将所述金属屏蔽盖罩设于所述顶层元器件上,并使所述金属屏蔽盖固接于所述上基板顶面上。

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