[发明专利]基板处理设备、基板支撑单元和基板处理方法

说明书

一种用于处理基板的设备，包括：壳体，在该壳体中具有处理空间；支撑单元，其在处理空间中支撑基板；处理气体供应单元，其将处理气体供应到处理空间中；以及等离子体源，其从处理气体产生等离子体。支撑单元包括：支撑构件，在其上放置基板；加热构件，其加热被支撑在支撑构件上的基板；以及传热气体供应构件，其将传热气体供应到被支撑在支撑构件上的基板的背面。加热构件包括多个加热器，并且当俯视时，多个加热器加热被放置在支撑构件上的基板上的不同区域。支撑构件包括突起，该突起将支撑构件和被放置在支撑构件上的基板的背面之间的空间划分成多个气体区域，并且当俯视时，由加热构件加热的基板上的加热区域中的至少一个被划分为多个区域。

技术领域

本文描述的发明构思的实施例涉及一种基板处理设备和一种基板处理方法。

背景技术

等离子体可用于基板处理过程中。例如，可以在蚀刻、沉积或干燥清洁工艺中使用等离子体。等离子体通过将中性气体加热到很高的温度或使其经受强电场或射频(RF)电磁场而产生，并且是指包含离子、电子和自由基的物质的离子化气态。使用等离子体的干燥清洁、灰化或磨损工艺通过使等离子体中包含的离子或自由基粒子与基板碰撞来执行。

在控制基板的各个区域的温度时，有利的是将可独立调节的加热区域细分。但是，为了增加加热区域的数量，除了加热器之外，还必须另外设置加热器端子和温度传感器。因此，由于基板处理设备(在其中布置了必须设置以增加加热区域数量的部件)中的空间限制，在细分加热区域方面存在限制。

发明内容

本发明构思的实施例提供了一种基板处理设备，其用于在使用等离子体处理基板时提高工艺效率。

本发明构思的实施例提供一种用于进一步细分和加热基板的基板处理设备。

本发明构思的实施例提供一种用于使用小的加热区域来改善温度偏差的基板处理设备。

本发明构思要解决的技术问题不限于前述问题，并且本发明构思所属领域的技术人员根据以下描述将清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。

根据示例性实施例，一种用于处理基板的设备包括：壳体，在壳体中具有处理空间；支撑单元，其在处理空间中支撑基板；处理气体供应单元，其将处理气体供应到处理空间中；以及等离子体源，其从处理气体产生等离子体。支撑单元包括：支撑构件，在支撑构件上放置基板；加热构件，其加热被支撑在支撑构件上的基板；以及传热气体供应构件，其将传热气体供应到被支撑在支撑构件上的基板的背面。加热构件包括多个加热器，并且当俯视时，多个加热器加热被放置在支撑构件上的基板上的不同区域。支撑构件包括突起，该突起将支撑构件和放置在支撑构件上的基板的背面之间的空间划分为多个气体区域，并且当俯视时，由加热构件加热的基板上的加热区域中的至少一个被该突起划分为多个区域。

在一个实施例中，被供应到多个气体区域中的传热气体的压力可以是独立可调的。

在一个实施例中，传热气体供应构件可包括传热气体供应源；主供应管线，其连接到传热气体供应源；多个供应通道，其从主供应管线分支出来，每个供应通道连接到多个气体区域中的相应一个，并且在各个供应通道中安装有流量调节构件，其中每个流量调节构件调节流过相应的供应通道的传热气体的流量。

在一个实施例中，多个加热器的输出可以是独立可控的。

在一个实施例中，突起可以具有环形形状。

在一个实施例中，多个加热区域中的一些加热区域可以处于与支撑构件的中心不同的距离处。

在一个实施例中，当俯视时，被突起划分为多个区域的加热区域可以是在多个加热区域之中距离支撑构件的中心最远处的加热区域。

在一个实施例中，多个加热区域可以包括第一加热区域和第二加热区域，第一加热区域包括支撑构件的边缘区域，第二加热区域包括支撑构件的中心区域。当俯视时，被突起划分为多个区域的加热区域可以是第一加热区域。