[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的鳍部，与所述鳍部的延伸方向相垂直的方向为横向；

在所述鳍部露出的所述衬底上形成隔离材料层，所述隔离材料层覆盖所述鳍部的部分侧壁，所述隔离材料层露出的所述鳍部为顶鳍部；

在所述顶鳍部的侧壁上形成保护层；

形成所述保护层后，去除部分厚度的所述隔离材料层，形成所述隔离层；

沿所述横向对所述保护层和所述隔离层露出的所述鳍部侧壁进行减薄处理，形成颈鳍部；

形成所述颈鳍部后，形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述顶鳍部和所述颈鳍部，且所述栅极结构覆盖所述顶鳍部和所述颈鳍部的部分顶壁和部分侧壁。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述减薄处理的步骤包括：氧化所述保护层和所述隔离层露出的所述鳍部侧壁，形成氧化层；去除所述氧化层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，利用O₂进行灰化工艺，氧化所述保护层和所述隔离层露出的所述鳍部侧壁。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述氧化层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀溶液为氢氟酸溶液。

6.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，氧化所述保护层和所述隔离层露出的所述鳍部侧壁的步骤中，所述氧化层的厚度为0.5纳米至2.5纳米。

7.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，氧化所述保护层和所述隔离层露出的所述鳍部侧壁的过程中，还氧化所述保护层，形成氧化保护层；

去除所述氧化层的过程中，还去除所述氧化保护层。

8.如权利要求1或7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为无定形硅或硅。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿所述横向方向所述保护层的厚度为1纳米至10纳米。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤包括：

在所述顶鳍部以及所述顶鳍部露出的所述隔离材料层上保形覆盖保护材料层；

去除所述顶鳍部顶部以及所述隔离材料层上的所述保护材料层，位于所述顶鳍部侧壁上剩余的所述保护材料层作为所述保护层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺、低压炉管工艺或化学气相沉积工艺所述保护材料层。

12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护材料层前，还包括：在所述顶鳍部以及所述顶鳍部露出的所述隔离材料层上保形覆盖缓冲材料层；

形成所述保护材料层的过程中，所述保护材料层保形覆盖在所述缓冲材料层上。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺、低压炉管工艺或化学气相沉积工艺所述缓冲材料层。

14.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲材料层的厚度小于5纳米。

15.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲材料层的材料包括氧化硅。

16.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分厚度的所述隔离材料层的步骤中，去除所述隔离材料层的厚度为5纳米至15纳米。