[发明专利]显示面板在审

申请号：	201910977058.4	申请日：	2019-10-15
公开（公告）号：	CN112736028A	公开（公告）日：	2021-04-30
发明（设计）人：	赵立新;王富中;张斌	申请（专利权）人：	格科微电子（上海）有限公司
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768;H01L27/12;H01L21/77;H01L21/762
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	201203 上海市浦***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	显示面板
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【说明书】：

本发明提供一种显示面板，包括：基板和/或面板衬底；单晶晶圆，所述单晶晶圆的第一面上设置有外延层，所述外延层中设置有部分器件结构，所述单晶晶圆的第一面与所述基板和/或面板衬底键合或贴合，所述单晶晶圆的第二面上设置有至少一层导电互连层,所述外延层中的部分器件结构通过硅通孔连接导电互连层。本发明的显示面板，采用单晶晶圆代替现有技术中的非晶硅或多晶硅层，减少了器件结构缺陷，改善了显示面板的成像质量，提高了显示面板的良品率，满足了对于显示面板高性能的需求。

技术领域

本发明涉及一种显示面板。

背景技术

显示面板可以用于例如电视机、各种音频/视频系统、计算机监视器装置、导航终端装置、便携式终端装置等多种领域。多种类型的显示面板能够使用不同类型的显示单元将图像输出到外部。例如，显示单元可以是液晶显示器（LCD）、发光二极管（LED）、有机发光二极管（OLED）、有源矩阵OLED（AMOLED）等。

随着显示技术的蓬勃发展，目前市场对于显示面板的要求也在逐步提高，特别是对小型化、低功耗、低成本及高影像品质等方面的要求越来越高。现有技术的显示面板的制造方法，通常先在基板上形成非晶硅或多晶硅层，然后在准分子激光晶化（ELA）处理后的非晶硅或多晶硅层上刻蚀出有源区，在有源区中形成源极、漏极、栅极沟道区等器件结构，并于器件结构上形成至少一层导电互连层等结构，从而形成完整的显示面板。由于器件结构形成于可能存在较多缺陷的非晶硅或多晶硅层中，容易对显示面板的成像质量和良品率造成影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种显示面板，改善显示面板的成像质量，提高显示面板的良品率，满足对于显示面板高性能的需求。

基于以上考虑，本发明提供一种显示面板，包括：基板和/或面板衬底；单晶晶圆，所述单晶晶圆的第一面上设置有外延层，所述外延层中设置有部分器件结构,所述单晶晶圆的第一面与所述基板和/或面板衬底键合或贴合，所述单晶晶圆的第二面上设置有至少一层导电互连层, 所述外延层中的部分器件结构通过硅通孔连接导电互连层。

优选的，所述部分器件结构包括源极，漏极，栅极沟道区及器件隔离区。

优选的，所述外延层的厚度为3-5μm。

优选的，所述面板衬底的材质为聚酰亚胺或氟化聚酰亚胺。

优选的，所述面板衬底的厚度为50-100μm。

优选的，所述单晶晶圆的第一面与所述基板和/或面板衬底上分别设置有用于键合的氧化层。

优选的，所述氧化层的材质为二氧化硅。

优选的，所述氧化层的厚度分别为0.5-2μm。

优选的，所述导电互连层的材质为金属或导电金属化合物。

优选的，所述导电互连层的厚度为1-2μm。

优选的，所述基板的材质为玻璃。

优选的，所述硅通孔的深度为5-7μm。

与现有技术相比，本发明的显示面板，采用单晶晶圆代替现有技术中的非晶硅或多晶硅层，减少了器件结构缺陷，改善了显示面板的成像质量，提高了显示面板的良品率，满足了对于显示面板高性能的需求。