[发明专利]修正掩膜图案的方法

说明书

本申请公开了一种修正掩膜图案的方法，其中，所述掩膜图案包括第一图形以及与所述第一图形相交于一点的第二图形，所述方法包括：形成第三图形，所述第三图形位于所述第一图形和所述第二图形的交点附近并被配置为防止所述第一图形或所述第二图形的、穿过所述交点的边线在OPC之后发生位移。本申请所公开的方法通过设置额外的修正图形以补偿OPC后可能发生的边界漂移，从而避免了在后续倒角处理时出现边界外扩现象，进而避免了蚀刻过程中的过度切割。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术，尤其涉及一种修正掩膜图案的方法。

背景技术

当集成电路制造工艺发展到10nm以下时，需要更先进的图案化技术来生成诸如鳍式场效晶体管(FinFET)的精密器件。一种重要的图案化技术是自对准多重构图(Self-Aligned Multi Patterning，SAMP)。然而，对于SAMP来说，在对掩模图案进行光学邻近修正(Optical Proximity Correction，OPC)时，首先要对原始掩模图案进行分段或分区，然后执行模拟修正循环的多次迭代，直到修正后的图案与原始设计逼近。由于点接触角对角(Point-Touch Corner-to-Corner)图案易于在OPC迭代过程中违反MRC(Mask Rule Check)约束，因此得到的OPC结果常常变得不可用。具体地，在两个图形的接触点处可能会发生边界漂移，该边界漂移将会导致在对掩模图案进行倒角处理时的边界外扩，从而在后续蚀刻或切割过程中引发鳍片的过度切割。一种传统的解决方案是选择特定片段并在OPC迭代中利用特殊目标控制，然而这种方法仅适用于不违反MRC约束的情形，对于在OPC迭代中具有MRC违规问题的这种点接触角对角图案无效。

因此，需要一种修正掩膜图案的方法来克服边界漂移现象，从而提升倒角处理精度。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种修正掩膜图案的方法，该方法通过设置额外的修正图形以补偿OPC后可能发生的边界漂移，从而避免了在后续倒角处理时出现边界外扩现象，进而避免了蚀刻过程中的过度切割。

在下文中给出了关于本申请的简要概述，以便提供关于本申请的某些方面的基本理解。应当理解，该部分并不意图确定本申请的关键或重要部分，也不是意图限定本申请的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

本申请的一个方面提供了一种修正掩膜图案的方法，其中，所述掩膜图案包括第一图形和与所述第一图形相交于一点的第二图形，所述方法包括：形成第三图形，所述第三图形位于所述第一图形和所述第二图形的交点附近并被配置为防止所述第一图形或所述第二图形的、穿过所述交点的边线在OPC之后发生位移。

根据本申请的一些实施例，所述第三图形的第一边线与所述第一图形的穿过所述交点的第一边线共线。

根据本申请的一些实施例，所述第三图形的第二边线与所述第二图形的穿过所述交点的第一边线共线。

根据本申请的一些实施例，所述第三图形的最长边的长度不超过所述OPC中的最小边缘片段的长度。

根据本申请的一些实施例，所述掩膜还包括第四图形，所述第四图形位于所述交点附近并被配置为防止所述第一图形或所述第二图形的、穿过所述交点的边线在OPC之后发生位移。

根据本申请的一些实施例，所述第四图形的第一边线与所述第一图形的穿过所述交点的第二边线共线。

根据本申请的一些实施例，所述第四图形的第二边线与所述第二图形的穿过所述交点的第二边线共线。

根据本申请的一些实施例，所述第四图形的最长边的长度不超过所述OPC中的最小边缘片段的长度。

根据本申请的一些实施例，所述第一图形、所述第二图形、所述第三图形和所述第四图形均为矩形。