[发明专利]修正掩膜图案的方法在审
申请号: | 201910976793.3 | 申请日: | 2019-10-11 |
公开(公告)号: | CN112650020A | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 王良;候永强 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;H01L21/308 |
代理公司: | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人: | 刘荣娟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 修正 图案 方法 | ||
1.一种修正掩膜图案的方法,其特征在于,
所述掩膜图案包括:
第一图形;以及
第二图形,与所述第一图形相交于一点,
所述方法包括:
形成第三图形,所述第三图形位于所述第一图形和所述第二图形的交点附近并被配置为防止所述第一图形或所述第二图形的、穿过所述交点的边线在OPC之后发生位移。
2.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第三图形的第一边线与所述第一图形的穿过所述交点的第一边线共线。
3.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述第三图形的第二边线与所述第二图形的穿过所述交点的第一边线共线。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第三图形的最长边的长度不超过所述OPC中的最小边缘片段的长度。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,还包括:
第四图形,位于所述交点附近并被配置为防止所述第一图形或所述第二图形的、穿过所述交点的边线在OPC之后发生位移。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述第四图形的第一边线与所述第一图形的穿过所述交点的第二边线共线。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述第四图形的第二边线与所述第二图形的穿过所述交点的第二边线共线。
8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述第四图形的最长边的长度不超过所述OPC中的最小边缘片段的长度。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述第一图形、所述第二图形、所述第三图形和所述第四图形均为矩形。
10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述第三图形和所述第四图形均为正方形。
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