[发明专利]一种晶棒切割装置及方法

说明书

本发明提供一种晶棒切割装置及方法，所述晶棒切割装置包括：给进单元，用于固定晶棒并带动所述晶棒沿给进方向移动；加热单元，所述加热单元设置于所述给进单元用于固定晶棒的预设位置两侧，用于加热所述晶棒，且所述加热单元与所述给进单元连接并与所述给进单元同步移动。根据本发明实施例的晶棒切割装置及晶棒切割方法，在晶棒切割前先利用加热单元对晶棒进行加热，可以防止切断初期由于摩擦发热引起的快速膨胀，还可以防止晶棒切割后期摩擦接触面积变小而引起的热收缩现象，确保切割得到的硅片平坦度良好。

技术领域

本发明涉及硅片生产技术领域,具体涉及一种晶棒切割装置及方法。

背景技术

单晶硅硅片通常被作为半导体元件制造用材料广泛使用，这种硅片的制造工艺包括将晶棒切成硅片形态的切断工艺。但是在晶棒切割工艺中，由于切割过程中会摩擦生热，常温状态下的晶棒会因此发生膨胀或者收缩的现象。晶棒的热膨胀及收缩将导致晶棒切割切割得到的硅片产生弯曲，切割面的平坦度低下，产品良率低下。特别是，上述所说的热膨胀发生在晶棒切割的初期，而热收缩则是发生在晶棒切割的后期，因此现在亟需采取措施以改善由于热膨胀或收缩引起的品质下降。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种晶棒切割装置及方法，以解决晶棒切割过程中由于摩擦生热而造成热膨胀及热收缩现象继而导致硅片平坦度不佳的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

本发明一方面实施例提供了一种晶棒切割装置，包括：

进给单元，用于固定晶棒并带动所述晶棒沿进给方向移动；

加热单元，所述加热单元设置于所述进给单元用于固定晶棒的预设位置两侧，用于加热所述晶棒，且所述加热单元与所述进给单元连接并与所述进给单元同步移动。

进一步地，所述进给单元内部设置有用于容置所述加热单元的收纳室，所述晶棒切割装置还包括：

升降单元，所述升降单元设置于所述收纳室内并与所述加热单元的一端连接，用于控制所述加热单元沿所述进给方向的反方向移动进入所述收纳室。

进一步地，所述加热单元包括放热板和供热管路，所述放热板设置于所述进给单元用于固定晶棒的预设位置两侧，所述供热管路均匀铺设于所述放热板内部。

进一步地，所述加热单元还包括加热器，所述加热器设置于所述进给单元内部并与所述供热管路连接，用于加热传热介质并使所述传热介质在所述供热管路内循环流动。

进一步地，所述晶棒切割装置还包括：

切割单元，所述切割单元位于所述晶棒的进给方向上，所述切割单元包括驱动轮和多根切割线，所述驱动轮用于驱动所述多根切割线移动，以对所述晶棒进行切割。

本发明另一方面实施例提供了一种晶棒切割方法，应用于如上所述的晶棒切割装置，包括：

控制加热单元对晶棒进行加热；

控制进给单元带动所述晶棒沿进给方向移动，利用切割单元对所述晶棒进行切割。

进一步地，控制进给单元带动所述晶棒沿进给方向移动，利用切割单元对所述晶棒进行切割的同时，还包括：

控制升降单元带动所述加热单元沿所述进给方向的反方向移动，使所述加热单元进入收纳室内。

本发明上述技术方案的有益效果如下：

根据本发明实施例的晶棒切割装置及晶棒切割方法，在晶棒切割前先利用加热单元对晶棒进行加热，可以防止切断初期由于摩擦发热引起的快速膨胀，还可以防止晶棒切割后期摩擦接触面积变小而引起的热收缩现象，确保切割得到的硅片平坦度良好。

附图说明