[发明专利]PET基膜底涂剂、改性PET膜和CMOS芯片切割工艺用胶带及其制备方法与应用

说明书

本发明涉及电子元件制备技术领域，公开了一种PET基膜底涂剂，其组分包括溶剂以及粘接组分，粘接组分按重量份数计包括：天然橡胶0.48‑0.72份、硅烷偶联剂0.8‑1.2份以及聚乙烯醇8‑12份。还公开了上述底涂剂的制备方法，即将上述各种组分混合均匀。还公开了改性PET膜，在PET基膜的一面涂布上述底涂剂。该改性PET膜与UV减粘胶层的粘接性好。还公开了CMOS芯片切割工艺用胶带，包括：依次设置的PET基膜、底涂剂层、UV减粘胶层以及离型膜，底涂剂层由上述的底涂剂涂布得到。还公开了以及上述胶带的制备方法。上述胶带应用在CMOS芯片切割工艺中时厚度变化量小，UV照射前具有优异的粘接性能。

技术领域

本发明涉及电子元件制备技术领域，具体而言，涉及PET基膜底涂剂、改性PET膜和CMOS芯片切割工艺用胶带及其制备方法与应用。

背景技术

图像传感器是相机的一个重要组成部分，主要完成将相机外界光信号转变为电信号的任务，然后经过一系列电信号的处理，进而转换成可以在显示器上或其他显示设备上显示的图像。应用最为广泛的图像传感器是电荷耦合器件(CCD，Charge Coupled Device)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS，Complementary Metal OxideSemiconductor)图像传感器。

CMOS图像传感器芯片采用了CMOS工艺，可将图像采集单元和信号处理单元集成在一块芯片上不仅降低了功耗，而且具有重量较轻，占用空间减少以及总体价格更低的优点，在成像应用中，如今智能手机摄像头大多采用CMOS图像传感器，在水下探测、空间对地遥感等成像领域，CMOS图像传感器也有可能取代CCD图像传感器，进而逐渐成为多数成像领域图像传感器的主要选择。

CMOS工艺封装工段要把成品从做好的晶圆片上切割成独立芯片，需要使用胶带作为承载用，因材料分为不同材质的多层，切割工艺分两步走，先进行芯片的半切割，再完成最终切割。其中半切割工艺对TTV(total thickness variation)有较高的要求，且切割时胶带要保持一定粘性防止晶圆抖动造成损伤，切割后要求承载胶带容易撕除，传统非UV减粘胶带撕除容易造成切割处断裂，常用的PO基材UV减粘胶带，因基材TTV偏差较大，容易造成损伤电路，导致良率下降。

鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明提供的PET基膜底涂剂及其制备方法以及改性PET膜及其制备方法，旨在改善PET基膜与UV减粘胶层的粘接力度小的问题。

本发明提供CMOS芯片切割工艺用胶带及其制备方法，旨在改善CMOS芯片切割工艺中胶带厚度变化过大的问题。

本发明提供的CMOS芯片切割工艺用胶带应用于CMOS芯片切割工艺中时，能得到品质更好的CMOS芯片。

本发明是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种PET基膜底涂剂，其组分包括溶剂以及粘接组分，粘接组分按重量份数计包括：天然橡胶0.48-0.72份、硅烷偶联剂0.8-1.2份以及聚乙烯醇8-12份。

在本发明可选的实施方式中，溶剂的用量与聚乙烯醇的质量之比为100:8-12；

在本发明可选的实施方式中，溶剂为小分子醇，每个小分子醇分子中所含羟基数为1-4个；

在本发明可选的实施方式中，小分子醇包括甲醇、乙醇、乙二醇、丙醇、丙二醇以及丙三醇中至少一种。

在本发明可选的实施方式中，PET基膜底涂剂的组分还包括水，水的质量与溶剂的质量之比为10-20:100。

第二方面，本发明实施例提供了一种PET基膜底涂剂的制备方法，包括将上述任一种PET基膜底涂剂的各种组分混合均匀。

在本发明可选的实施方式中，天然橡胶以天然橡胶乳液的形式与其余组分混合；