[发明专利]PET基膜底涂剂、改性PET膜和CMOS芯片切割工艺用胶带及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种PET基膜底涂剂，其特征在于，其组分由水、溶剂以及粘接组分组成，所述粘接组分按重量份数计由以下组分组成：天然橡胶0.48-0.72份、硅烷偶联剂0.8-1.2份以及聚乙烯醇8-12份，所述水的质量与所述溶剂的质量之比为10-20:100， 所述溶剂为小分子醇，每个所述小分子醇分子中所含羟基数为1-4个。

2.根据权利要求1所述的PET基膜底涂剂，其特征在于，所述溶剂的用量与所述聚乙烯醇的质量之比为100:8-12。

3.根据权利要求1所述的PET基膜底涂剂，其特征在于，所述小分子醇包括甲醇、乙醇、乙二醇、丙醇、丙二醇以及丙三醇中至少一种。

4.一种PET基膜底涂剂的制备方法，其特征在于，包括将如权利要求1~3任一项所述的PET基膜底涂剂的各种组分混合均匀。

5.根据权利要求4所述的PET基膜底涂剂的制备方法，其特征在于，所述天然橡胶以天然橡胶乳液的形式与其余组分混合。

6.根据权利要求5所述的PET基膜底涂剂的制备方法，其特征在于，按重量份数计，所述粘接组分中，所述天然橡胶乳液的用量为0.8-1.2份。

7.一种改性PET膜，其特征在于，包括PET基膜以及在所述PET基膜的一面涂布如权利要求1~3任一项所述的PET基膜底涂剂或如权利要求4~6任一项所述的PET基膜底涂剂的制备方法制得的PET基膜底涂剂形成的底涂剂层。

8.一种改性PET膜的制备方法，其特征在于，包括在PET基膜的一面涂布如权利要求1~3任一项所述的PET基膜底涂剂或如权利要求4~6任一项所述的PET基膜底涂剂的制备方法制得的PET基膜底涂剂以形成底涂剂层。

9.一种CMOS芯片切割工艺用胶带，其特征在于，包括依次设置的PET基膜、底涂剂层、UV减粘胶层以及离型膜，所述底涂剂层由如权利要求1~3任一项所述的PET基膜底涂剂或如权利要求4~6任一项所述的PET基膜底涂剂的制备方法制得的PET基膜底涂剂涂布形成。

10.根据权利要求9所述的CMOS芯片切割工艺用胶带，其特征在于，所述UV减粘胶层由UV减粘胶水涂布形成，所述UV减粘胶水按重量份数计，其组分包括：基胶100份、多官能团光敏树脂5-25份、光引发剂0.5-5份以及固化剂0.1-4份。

11.根据权利要求10所述的CMOS芯片切割工艺用胶带，其特征在于，所述基胶包括质量比为：37-43:8-12:90-110:1.3-1.7:18-22:100:25-35的丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯酸甲酯、BPO引发剂、甲苯、乙酸乙酯以及丙酮。

12.根据权利要求10所述的CMOS芯片切割工艺用胶带，其特征在于，所述UV减粘胶水按重量份数计，其组分还包括稀释剂14-21份。

13.根据权利要求12所述的CMOS芯片切割工艺用胶带，其特征在于，所述稀释剂为乙酸乙酯。

14.根据权利要求11所述的CMOS芯片切割工艺用胶带，其特征在于，所述多官能团光敏树脂包括乙二醇类二丙烯酸酯、丙二醇类二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二缩三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、环氧丙烯酸低聚物、聚氨脂丙烯酸酯低聚物、异氰酸酯单体及预聚物、聚脂丙烯酸酯低聚物、聚醚丙烯酸酯低聚物、纯丙烯酸树脂低聚物中的至少一种。

15.根据权利要求14所述的CMOS芯片切割工艺用胶带，其特征在于，所述多官能团光敏树脂为三官能光敏树脂：CN929，沙多玛。