[发明专利]电子封装件及其制法

说明书

一种电子封装件及其制法，其在设于承载结构上的多个电子元件之间的间隙中形成填充材，以作为间隔部，且令该间隔部具有凹槽以作为应力缓冲区，避免该多个电子元件因应力集中而发生破裂的问题。

技术领域

本发明有关一种半导体装置，尤指一种电子封装件及其制法。

背景技术

随着电子产业的发达，现今的电子产品已趋向轻薄短小与功能多样化的方向设计，半导体封装技术也随之开发出不同的封装型态。为满足半导体装置的高集成度(Integration)以及微型化(Miniaturization)需求，除传统打线式(Wire bonding)的半导体封装技术外，业界主要经由覆晶(Flip chip)方式，以提升半导体装置的布线密度。

图1为现有覆晶式封装结构1的剖视示意图。如图1所示，先将一半导体芯片11经由多个焊锡凸块13结合至一封装基板10上，再回焊该焊锡凸块13。接着，形成底胶14于该半导体芯片11与该封装基板10之间，以包覆所述焊锡凸块13。

然而，现有覆晶式封装结构1中，于封装时，该底胶14可能会形成于该半导体芯片的角落处或非作用面的边缘，且该底胶14相对杨氏系数大，致使该半导体芯片11的内部应力增高，造成该半导体芯片11的应力集中，导致破裂发生，而使该覆晶式封装结构1的可靠度不佳。

因此，如何克服上述现有技术的问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的种种缺陷，本发明提供一种电子封装件及其制法，可避免多个电子元件因应力集中而发生破裂的问题。

本发明的电子封装件，包括：承载结构；第一电子元件与第二电子元件，其间隔设置于该承载结构上，以令该第一电子元件与该第二电子元件之间形成有一间隙；填充材，其形成于该间隙中以作为间隔部，其中，该间隔部具有凹槽；以及作用层，其形成于该凹槽中。

本发明还提供一种电子封装件的制法，包括：将第一电子元件与第二电子元件间隔设置于承载结构上，使该第一电子元件与该第二电子元件之间形成有一间隙；形成填充材于该间隙中，以令该填充材作为间隔部，其中，该令间隔部形成有凹槽；以及形成作用层于该凹槽中。

前述的电子封装件及其制法中，该第一电子元件及第二电子元件电性连接该承载结构。

前述的电子封装件及其制法中，该第一电子元件与该第二电子元件为相同或不同类型。

前述的电子封装件及其制法中，该第一电子元件与该第二电子元件的上表面齐平该作用层的上表面。

前述的电子封装件及其制法中，该第一电子元件与该第二电子元件的上表面齐平该间隔部的上表面。

前述的电子封装件及其制法中，该凹槽的宽度由槽口至槽底呈一致。

前述的电子封装件及其制法中，该凹槽的宽度由槽口至槽底不一致。

前述的电子封装件及其制法中，该填充材还形成于该承载结构与该第一电子元件之间及该承载结构与该第二电子元件之间。

前述的电子封装件及其制法中，该作用层的杨氏系数小于该填充材的杨氏系数。

前述的电子封装件及其制法中，该凹槽的侧壁延伸至该第一电子元件及/或第二电子元件。

由上可知，本发明的电子封装件及其制法中，主要经由位于该第一电子元件与第二电子元件之间的填充材中形成有凹槽，以令间隔部作为应力缓冲区，故相比于现有技术，本发明能有效避免该第一电子元件及第二电子元件因应力集中而发生破裂的问题。

附图说明

图1为现有覆晶式封装结构的剖面示意图；

图2A至图2D为本发明的电子封装件的制法的剖视示意图；