[发明专利]电子封装件及其制法在审
| 申请号： | 201910972580.3 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112563215A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张宏达;丁俊彰;陈麒任 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 封装 及其 制法 | ||
1.一种电子封装件，其特征在于，包括：
承载结构；
第一电子元件与第二电子元件，其间隔设置于该承载结构上，以令该第一电子元件与该第二电子元件之间形成有一间隙；
填充材，其形成于该间隙中以作为间隔部，且该间隔部具有凹槽；以及
作用层，其形成于该凹槽中。
2.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一电子元件及第二电子元件电性连接该承载结构。
3.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一电子元件与该第二电子元件为相同或不同类型。
4.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一电子元件与该第二电子元件的上表面齐平该作用层的上表面。
5.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一电子元件与该第二电子元件的上表面齐平该间隔部的上表面。
6.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该凹槽的宽度由槽口至槽底呈一致。
7.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该凹槽的宽度由槽口至槽底不一致。
8.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该填充材还形成于该承载结构与该第一电子元件之间及该承载结构与该第二电子元件之间。
9.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该作用层的杨氏系数小于该填充材的杨氏系数。
10.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该凹槽的侧壁延伸至该第一电子元件及/或第二电子元件。
11.一种电子封装件的制法，其特征在于，包括：
将第一电子元件与第二电子元件间隔设置于承载结构上，且该第一电子元件与该第二电子元件之间形成有一间隙；
形成填充材于该间隙中，以令该填充材作为间隔部，且令该间隔部形成有凹槽；以及
形成作用层于该凹槽中。
12.根据权利要求11所述的电子封装件的制法，其特征在于，该第一电子元件及第二电子元件电性连接该承载结构。
13.根据权利要求11所述的电子封装件的制法，其特征在于，该第一电子元件与该第二电子元件为相同或不同类型。
14.根据权利要求11所述的电子封装件的制法，其特征在于，该第一电子元件与该第二电子元件的上表面齐平该作用层的上表面。
15.根据权利要求11所述的电子封装件的制法，其特征在于，该第一电子元件与该第二电子元件的上表面齐平该间隔部的上表面。
16.根据权利要求11所述的电子封装件的制法，其特征在于，该凹槽的宽度由槽口至槽底呈一致。
17.根据权利要求11所述的电子封装件的制法，其特征在于，该凹槽的宽度由槽口至槽底不一致。
18.根据权利要求11所述的电子封装件的制法，其特征在于，该填充材还形成于该承载结构与该第一电子元件之间及该承载结构与该第二电子元件之间。
19.根据权利要求11所述的电子封装件的制法，其特征在于，该作用层的杨氏系数小于该填充材的杨氏系数。
20.根据权利要求11所述的电子封装件的制法，其特征在于，该凹槽的侧壁延伸至该第一电子元件及/或第二电子元件。
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