[发明专利]接触结构、半导体器件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种接触结构，其特征在于，包括：

导电插塞；

钝化保护层，覆盖所述导电插塞的侧壁。

2.根据权利要求1所述的接触结构，其特征在于，所述导电插塞包括：第一导电层及所述第一导电层上表面的第二导电层；其中，所述第一导电层及所述第二导电层内均掺杂，且所述第一导电层的掺杂浓度大于所述第二导电层的掺杂浓度；所述钝化保护层为氮化物保护层。

3.一种接触结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

于所述衬底上形成导电插塞；

于所述导电插塞的侧壁形成钝化保护层。

4.根据权利要求3所述的接触结构的制备方法，其特征在于，

于所述衬底上形成所述导电插塞之前还包括如下步骤：于所述衬底内形成接触孔；

所述导电插塞由第一导电层和第二导电层组成，形成所述导电插塞包括如下步骤：

于接触孔的侧壁及底部形成第一导电层；

于所述第一导电层的表面形成第二导电层；所述第二导电层及所述第一导电层内均掺杂，且所述第二导电层的掺杂浓度小于第一导电层的掺杂浓度；

去除所述第二导电层侧壁的所述第一导电层得到所述导电插塞；

于所述导电插塞侧壁形成所述钝化保护层包括如下步骤：

对所述导电插塞进行氮化处理，以于所述导电插塞的侧壁形成所述钝化保护层。

5.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底内形成有位线接触孔；

位线接触结构，包括位线接触插塞及钝化保护层；所述位线接触插塞位于所述位线接触孔内，且所述位线接触插塞的底部与所述位线接触孔的底部接触；所述钝化保护层位于所述位线接触插塞的侧壁上；

位线，位于所述位线接触结构的上表面。

6.根据权利要求5所述的半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构还包括：

浅沟槽隔离结构，位于所述衬底内，所述浅沟槽隔离结构在所述衬底内隔离出若干个间隔排布的有源区；

若干个平行间隔排布的字线，位于所述衬底内，所述字线的延伸方向与所述有源区的延伸方向相交在小于90度的角度；

填充绝缘层，位于所述字线及所述衬底的上表面；

所述位线接触孔位于同一有源区中的相邻所述字线之间，沿厚度方向贯穿位于所述衬底上表面的填充绝缘层且延伸至所述衬底内；所述位线经由所述位线接触结构与所述有源区电连接。

7.根据权利要求5或6所述的半导体器件结构，其特征在于，所述位线接触插塞包括：第一导电层及位于所述第一导电层上的第二导电层；其中，所述第一导电层及所述第二导电层内均掺杂，且所述第一导电层的掺杂浓度大于所述第二导电层的掺杂浓度；所述钝化保护层包括氮化物保护层。

8.一种半导体器件结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底内形成有位线接触孔；

于所述位线接触孔内形成位线接触结构，并于所述位线接触结构的上表面形成位线；其中，所述位线接触结构包括位线接触插塞及钝化保护层，所述位线接触插塞位于所述位线接触孔内，且所述位线接触插塞的底部与所述位线接触孔的底部接触，所述钝化保护层位于所述位线接触插塞的侧壁上。

9.根据权利要求8所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，于所述衬底内形成所述位线接触孔之前还包括如下步骤：

于所述衬底内形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构于所述衬底内隔离出若干个间隔分布的有源区；

于所述衬底内形成若干个间隔排布的字线，所述字线的延伸方向与所述有源区的延伸方向相交在小于90度的角度；

于所述字线及所述衬底的上表面形成填充绝缘层；所述位线接触孔位于同一有源区中的相邻所述字线之间，沿厚度方向贯穿位于所述衬底上表面的填充绝缘层且延伸至所述衬底内；所述位线经由所述位线接触结构与所述有源区电连接。

10.根据权利要求8或9所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，于所述位线接触孔内形成位线接触结构，并于所述位线接触结构的上表面形成位线包括如下步骤：

于位线接触孔的侧壁及底部形成第一导电层，并于所述第一导电层的表面形成第二导电层；所述第二导电层及所述第一导电层均掺杂，且所述第二导电层的掺杂浓度小于所述第一导电层的掺杂浓度；

于所述第二导电层的上表面形成位线；

去除位于所述第二导电层侧壁的所述第一导电层以形成所述位线接触插塞；

对所述位线接触插塞进行氮化处理以于所述位线接触插塞的侧壁形成所述钝化保护层。