[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

说明书

本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。在一个例示的实施方式的等离子体处理方法中，包括在第一期间中在腔室内执行第一等离子体处理的步骤和在第二期间中在腔室内执行第二等离子体处理的步骤的处理顺序被多次进行，在第二期间内第一高频功率被供给到基片支承台的下部电极，在第一期间内停止对下部电极供给第一高频功率，在第二期间内的第一高频功率的各周期内作为脉冲状的高频功率供给等离子体生成用的第二高频功率，第二高频功率具有比第一高频功率的频率高的频率。本发明能够设定蚀刻中使用的离子的能量。

技术领域

本发明的例示的实施方式涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。

背景技术

在电子器件的制造中，使用等离子体处理装置进行等离子体处理。等离子体处理装置包括腔室和基片支承台。基片支承台包括下部电极，设置于腔室内。在等离子体处理中，为了激励腔室内的气体而供给高频功率，由该气体生成等离子体。

在执行等离子体处理的期间，能够对下部电极供给其它高频功率。其它高频功率具有比等离子体生成用的高频功率的频率低的频率。即，其它高频功率为偏置高频功率。一般而言，偏置高频功率用于调节撞击到设置于基片支承台上的基片的离子的能量。在对下部电极供给具有高水平的偏置高频功率的情况下，撞击到基片的离子的能量高。另一方面，在对下部电极供给具有低水平的偏置高频功率的情况下，撞击到基片的离子的能量低。

在专利文献1中记载了关于用于蚀刻硅氮化膜的等离子体处理。在记载于专利文献1的技术中，在蚀刻硅氮化膜的期间将偏置高频功率的功率水平设定为高水平。此外，在记载于专利文献1的技术中，在由于蚀刻硅氮化膜而形成了硅氮化膜与硅氧化膜一起露出的状态的情况下，偏置高频功率的功率水平在高水平与低水平之间交替地切换。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平6-267895号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

作为等离子体处理，考虑进行基片上形成沉积物的等离子体处理，然后进行蚀刻基片的膜的等离子体处理。在该等离子体处理中，要求设定蚀刻中使用的离子的能量。

用于解决技术问题的技术方案

在一个例示的实施方式中，提供一种等离子体处理方法。等离子体处理方法包括：在第一期间中在腔室内执行第一等离子体处理的步骤；和在第二期间中在腔室内执行第二等离子体处理的步骤。第二期间是第一期间之后的期间或接着第一期间的期间。在设置于腔室内的基片支承台上载置有基片的状态下，进行执行第一等离子体处理的步骤和执行第二等离子体处理的步骤。在该等离子体处理方法中，进行多次包含执行第一等离子体处理的步骤和执行第二等离子体处理的步骤的处理顺序。在第二期间内，第一高频功率被供给到基片支承台的下部电极。第一高频功率具有第一频率。在第一期间内，停止对下部电极供给第一高频功率。在第二期间内的第一高频功率的各周期内，作为脉冲状的高频功率供给等离子体生成用的第二高频功率。第二高频功率具有比第一频率高的第二频率。第二高频功率在第一期间内连续地被供给或者作为脉冲状的高频功率被供给。

发明效果

依照一个例示的实施方式，能够设定蚀刻中使用的离子的能量。

附图说明

图1是表示一个例示的实施方式的等离子体处理方法的流程图。

图2是概略地表示一个例示的实施方式的等离子体处理装置的图。

图3的(a)是能够应用图1所示的方法MT的一个例子的基片的局部截面图，图3的(b)是执行了方法MT的步骤ST1后的状态的一个例子的基片的局部截面图，图3的(c)是执行了方法MT的处理顺序SQ后的状态的一个例子的基片的局部截面图，图3的(d)是执行了方法MT的步骤ST4后的状态的一个例子的基片的局部截面图。