[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理方法，其特征在于，

包括：

在第一期间中在腔室内执行第一等离子体处理的步骤；和

在所述第一期间之后的或接着该第一期间的第二期间中，在所述腔室内执行第二等离子体处理的步骤，

其中，所述执行第一等离子体处理的步骤和所述执行第二等离子体处理的步骤，是在设置于所述腔室内的基片支承台上载置有基片的状态下进行的，

包括所述执行第一等离子体处理的步骤和所述执行第二等离子体处理的步骤的处理顺序被多次进行，

在所述第二期间内，具有第一频率的第一高频功率被供给到所述基片支承台的下部电极，

在所述第一期间内，停止对所述下部电极供给所述第一高频功率，

在所述第二期间内的所述第一高频功率的各周期内，作为脉冲状的高频功率供给等离子体生成用的第二高频功率，其中所述第二高频功率具有比所述第一频率高的第二频率，

所述第二高频功率在所述第一期间内连续地被供给或者作为脉冲状的高频功率被供给。

2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述第二期间内的所述第一高频功率的各周期内在从第一高频电源部输出的所述第一高频功率具有负电位的期间内，作为所述脉冲状的高频功率供给所述第二高频功率。

3.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述第二期间内的所述第一高频功率的各周期内在从第一高频电源部输出的所述第一高频功率具有正电位的期间内，作为所述脉冲状的高频功率供给所述第二高频功率。

4.如权利要求2或3所述的等离子体处理方法，其特征在于：

以与在所述第二期间内供给所述脉冲状的高频功率的周期相同的周期，在所述第一期间内作为所述脉冲状的高频功率供给所述第二高频功率。

5.如权利要求1～4中的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：

还包括在停止供给所述第一高频功率和所述第二高频功率的状态下对所述腔室进行排气的步骤，

所述对腔室进行排气的步骤，是在所述处理顺序内进行了所述执行第二等离子体处理的步骤之后执行的。

6.如权利要求1～5中的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述第一等离子体处理中使用的处理气体与所述第二等离子体处理中使用的处理气体相同。

7.如权利要求1～5中的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述第一等离子体处理中使用的处理气体与所述第二等离子体处理中使用的处理气体彼此不同。

8.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

腔室；

包含下部电极的设置于所述腔室内的基片支承台；

第一高频电源部，其构成为能够对所述下部电极供给具有第一频率的第一高频功率；

第二高频电源部，其构成为能够供给具有比第一频率高的第二频率的第二高频功率以生成等离子体；和

控制部，其构成为能够控制所述第一高频电源部和所述第二高频电源部，

所述控制部反复地执行控制顺序，该控制顺序包括：用于在第一期间中在所述腔室内执行第一等离子体处理的第一控制；和用于在所述第一期间之后的或接着该第一期间的第二期间中在所述腔室内执行第二等离子体处理的第二控制，

所述第一控制包括：控制第一高频电源部，以在所述第一期间中停止对所述下部电极供给所述第一高频功率的控制步骤；和控制所述第二高频电源部，以在所述第一期间内连续地供给所述第二高频功率或者作为脉冲状的高频功率供给所述第二高频功率的控制步骤，

所述第二控制包括：控制所述第一高频电源部，以在所述第二期间中对所述下部电极供给所述第一高频功率的控制步骤；和控制所述第二高频电源部，以在所述第二期间内的所述第一高频功率的各周期内作为脉冲状的高频功率供给所述第二高频功率的控制步骤。