[发明专利]电子装置及电子装置的制造方法在审
申请号: | 201910955815.8 | 申请日: | 2019-10-09 |
公开(公告)号: | CN112635511A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 陈逸安;郭冠宏;谢朝桦;郑凯;黄婉玲 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32;H01L33/54;H01L33/56;H01L51/52 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 制造 方法 | ||
本揭露提供一种电子装置及电子装置的制造方法,所述电子装置包括第一基板、多个发光二极管晶粒、透明材料层、密封材料以及第二基板。多个发光二极管晶粒设置于第一基板上。透明材料层设置于第一基板上。密封材料设置于第一基板上且环绕透明材料层。第二基板通过透明材料层以及密封材料与第一基板黏合。
技术领域
本揭露涉及一种电子装置及电子装置的制造方法。
背景技术
随着科技进步,电子装置已导入于不同类型的产品上,例如具有发光二极管的电子装置。对于电子装置的要求也不断提高,而增长电子装置的寿命,或改善封装技术已为探讨的方向之一。
发明内容
根据本揭露的实施例,电子装置包括第一基板、多个发光二极管晶粒、透明材料层、密封材料以及第二基板。多个发光二极管晶粒设置于第一基板上。透明材料层设置于第一基板上且覆盖多个发光二极管晶粒。密封材料设置于第一基板上且环绕透明材料层。第二基板与第一基板对向地设置,且通过透明材料层以及密封材料与第一基板黏合。
根据本揭露的实施例,电子装置的制造方法包括以下步骤。提供第一基板及第二基板,其中于第一基板上设置多个发光二极管晶粒。设置透明材料层及密封材料于第一基板或第二基板上,其中密封材料环绕透明材料层。对组第一基板与第二基板。
附图说明
包含附图以便进一步理解本揭露,且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例,并与描述一起用于解释本揭露的原理。
图1A至图1D为本揭露一实施例的电子装置的局部制作流程的示意图,且图1D为本揭露一实施例的电子装置的剖面示意图;
图2为本揭露一实施例的电子装置的俯视示意图;
图3为本揭露一实施例的电子装置的制作方法的流程图;
图4为本揭露另一实施例的电子装置的剖面示意图;
图5为本揭露另一实施例的电子装置的俯视示意图;
图6为本揭露又一实施例的电子装置的剖面示意图;
图7为本揭露再一实施例的电子装置的剖面示意图。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露,须注意的是,为了使读者能容易了解及附图的简洁,本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分,且附图中的特定组件并非依照实际比例绘图。此外,图中各组件的数量及尺寸仅作为示意,并非用来限制本揭露的范围。
本揭露中所叙述的一结构(或层别、组件、基材)位于另一结构(或层别、组件、基材)之上,可以指二结构相邻且直接连接,或是可以指二结构相邻而非直接连接,非直接连接是指二结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介组件),一结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面,另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面,而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成,并无限制。在本揭露中,当某结构配置在其它结构“上”时,有可能是指某结构“直接”在其它结构上,或指某结构“间接”在其它结构上,即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。
本揭露中所叙述的电性连接或耦接,皆可以指直接连接或间接连接,于直接连接的情况下,两电路上组件的端点直接连接或以一导体线段互相连接,而于间接连接的情况下,两电路上组件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感或其他非导体线段的组件其中之一与至少一导电段或电阻的组合,或至少上述二者与至少一导电段或电阻的组合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群创光电股份有限公司,未经群创光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910955815.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的