[发明专利]用于半导体制造和封装的方法以及在所述方法中使用的装置

说明书

本申请涉及用于半导体制造和封装的方法以及在所述方法中使用的装置。所述方法可以包含在衬底的表面上形成一组壁，所述一组壁将所述衬底划分成多个区段，所述多个区段中的每一者具有至少一个相应的半导体装置。所述方法可以进一步包含将模塑料沉积到所述衬底上，所述模塑料至少部分地填充由所述多个区段中的每一者上方的所述一组壁限定的空间，并覆盖所述多个区段中的每一者的所述相应的半导体装置。

技术领域

本文描述的实施例涉及半导体制造和封装工艺中的晶片级包封，且具体地，涉及晶片级包封期间使用的牺牲隔离物。

背景技术

在半导体制造和处理期间，可以在单个半导体晶片上形成多个单独的装置。这使得能够同时制造许多半导体装置，并且提高了每个制造的装置之间的均匀性。在形成之后，可以将晶片分离成单独的裸片。在某些情况下，单独的裸片可以与其它半导体装置封装在一起。在某些情况下，在分离之前，可以将模塑料沉积在单独的装置上方的晶片上用作保护层和/或缓冲层。

随着模塑料固化，由于悬浮在模塑料中的颗粒的流动，它可能出现不均匀性。这些不均匀性可能导致单独的裸片或封装之间的差异。此外，在固化工艺之后，模塑料与半导体晶片之间的热膨胀系数(CTE)不匹配可能导致明显翘曲。当晶片翘曲时，在模塑料、半导体晶片和/或其它邻近的装置组件处可能发生开裂或其它结构不稳定性。此外，由于翘曲，随后的运输和/或附加的处理步骤可能变得复杂。

发明内容

本发明的一个方面涉及一种用于半导体制造和封装的方法，所述方法包括：在衬底的表面上形成一组壁，所述一组壁将所述衬底划分成多个区段，所述多个区段中的每一者具有至少一个相应的半导体装置；以及将模塑料沉积到所述衬底上，所述模塑料至少部分地填充由所述多个区段中的每一者上方的所述一组壁限定的空间，并覆盖所述多个区段中的每一者的所述相应的半导体装置。

本发明的另一方面涉及一种在半导体制造和封装中使用的装置，所述装置包括：衬底；在所述衬底上形成的一组壁，所述一组壁将所述衬底划分成多个区段，所述多个区段中的每一者具有至少一个相应的半导体装置；以及模塑料，所述模塑料至少部分地填充由所述多个区段中的每一者上方的所述一组壁限定的空间，并覆盖所述多个区段中的每一者的所述相应的半导体装置。

本发明的又一方面涉及一种用于半导体制造和封装的方法，所述方法包括：在半导体晶片的表面上形成一组壁，所述一组壁将所述半导体晶片划分成多个裸片区段；将模塑料沉积到所述半导体晶片上，所述模塑料至少部分地填充由所述多个裸片区段中的每一者上方的所述一组壁限定的空间；以及去除所述一组壁以限定对应于所述多个裸片区段中的每一者的所述模塑料的各部分之间的气隙。

附图说明

图1是描绘其上沉积有牺牲壁的衬底的实施例的顶视图。

图2是描绘其上沉积有牺牲壁的衬底的实施例的横截面图。

图3是描绘其上沉积有模塑料的衬底的实施例的横截面图。

图4是描绘去除了一部分模塑料的衬底的实施例的横截面图。

图5是描绘具有部分填充模塑料的衬底的实施例的横截面图。

图6是描绘具有在模塑料内的悬浮液的衬底的实施例的放大横截面图。

图7是描绘去除了牺牲壁的衬底的实施例的横截面图。

图8是描绘已发生热膨胀之后衬底的实施例的放大横截面图。

图9是描绘已发生热膨胀之后牺牲壁包含膨胀材料的衬底的实施例的放大横截面图。

图10是描绘被分离成裸片的衬底的实施例的横截面图。

图11是描绘形成具有牺牲壁的衬底的方法的实施例的流程图。