[发明专利]用于半导体制造和封装的方法以及在所述方法中使用的装置

权利要求书

1.一种用于半导体制造和封装的方法，所述方法包括：

在衬底的表面上形成一组壁，所述一组壁将所述衬底划分成多个区段，所述多个区段中的每一者具有至少一个相应的半导体装置；以及

将模塑料沉积到所述衬底上，所述模塑料至少部分地填充由所述多个区段中的每一者上方的所述一组壁限定的空间，并覆盖所述多个区段中的每一者的所述相应的半导体装置。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底是硅晶片，并且其中所述多个区段对应于未分离的裸片。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底是半导体封装衬底，并且其中所述多个区段对应于未分离的半导体封装。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在沉积所述模塑料之后从所述衬底的所述表面去除所述一组壁，其中去除所述一组壁会在所述模塑料的各部分之间形成气隙。

5.根据权利要求4所述的方法，其中去除所述一组壁包括：

用工具加工所述一组壁；

触发所述一组壁的自解聚材料解聚；

将所述一组壁溶解在溶剂中；

向所述一组壁施加腐蚀剂；

干蚀刻所述一组壁；

向所述一组壁施加热量；或

其组合。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述一组壁包含某种材料，在所述材料和所述模塑料都固化之后所述材料比所述模塑料更具顺应性。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述一组壁包含膨胀材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述模塑料包括用所述模塑料覆盖所述一组壁，并且其中所述方法进一步包括对所述模塑料进行背面研磨以暴露所述一组壁的顶表面。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述一组壁中的每一壁的宽度在1微米与1毫米之间。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括，其中所述壁防止在所述模塑料固化之前在所述模塑料内形成不均匀性。

11.一种在半导体制造和封装中使用的装置，所述装置包括：

衬底；

在所述衬底上形成的一组壁，所述一组壁将所述衬底划分成多个区段，所述多个区段中的每一者具有至少一个相应的半导体装置；以及

模塑料，所述模塑料至少部分地填充由所述多个区段中的每一者上方的所述一组壁限定的空间，并覆盖所述多个区段中的每一者的所述相应的半导体装置。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述衬底是硅晶片，并且其中所述多个区段对应于未分离的裸片。

13.根据权利要求11所述的装置，其中所述衬底是半导体封装衬底，并且其中所述多个区段对应于未分离的半导体封装。

14.根据权利要求11所述的装置，其中所述一组壁经配置以从所述衬底去除从而在所述模塑料的各部分之间形成气隙。

15.根据权利要求11所述的装置，其中所述一组壁包含某种材料，在所述材料和所述模塑料都固化之后所述材料比所述模塑料更具顺应性。

16.根据权利要求11所述的装置，其中所述一组壁包含膨胀材料。

17.根据权利要求11所述的装置，其中所述一组壁中的每一壁的宽度在1微米与1毫米之间。