[发明专利]存储器单元及存储器系统

说明书

本发明公开了一种存储器单元，存储器单元包括第一反熔丝组件、第一选择晶体管、第二反熔丝组件、第二选择晶体管及感测控制电路。第一反熔丝组件及第二反熔丝组件的第一端耦接于反熔丝控制线。第一选择晶体管根据字符线的电压传送第一位线及第一反熔丝组件的第二端之间的电压。第二选择晶体管根据字符线的电压传送第二位线及第二反熔丝组件的第二端之间的电压。在读取操作中，感测控制电路根据第一反熔丝组件及第二反熔丝组件的状态自第一选择晶体管或第二选择晶体管的第一端提供放电路径至第一系统电压端。

技术领域

本发明是有关于一种存储器单元，特别是指一种具有感测控制电路的存储器单元。

背景技术

在存储器系统中，常会利用感测放大器来将存储器单元所产生的数据电压与默认的参考电压相比较，以辨识出储存在存储器单元中的数据。举例来说，如果数据电压大于参考电压，感测放大器就会输出高电压，表示储存在存储器单元中的数据为“0”。相对地，如果数据电压小于参考电压，感测放大器就会输出低电压，表示储存在存储器单元中的数据为“1”。感测放大器所输出的电压会储存在闩锁器中以供后续存取之需。

然而，由于制程上无法避免的差异，不同感测放大器中的晶体管可能会具有不同的阈电压，因此要选出适合的参考电压来辨识所有存储器单元中的数据实际上相当困难。对于一个存储器单元而言最适合的参考电压可能并不适合用在另一个存储器单元，而不适合的参考电压将会延长数据存取所需的时间，及/或造成数据误判。

发明内容

本发明的一实施例提供一种存储器单元。存储器单元包括第一反熔丝组件、第一选择晶体管、第二反熔丝组件、第二选择晶体管及感测控制电路。

第一反熔丝组件具有第一端及第二端，第一反熔丝组件的第一端耦接于反熔丝控制线。第一选择晶体管具有第一端、第二端及控制端，第一选择晶体管的第二端耦接于第一位线，而第一选择晶体管的控制端耦接于字符线。第一选择晶体管根据字符线的电压传送第一位线及第一反熔丝组件的第二端之间的电压。第二反熔丝组件具有第一端及第二端，第二反熔丝组件的第一端耦接于反熔丝控制线。第二选择晶体管具有第一端、第二端及控制端，第二选择晶体管的第二端耦接于第二位线，而第二选择晶体管的控制端耦接于字符线。第二选择晶体管根据字符线的电压传送第二位线及第二反熔丝组件的第二端之间的电压。

感测控制电路耦接于第一选择晶体管的第一端及第二选择晶体管的第一端。在存储器单元的读取操作中，感测控制电路根据第一反熔丝组件及第二反熔丝组件的状态自第一选择晶体管的第一端或自第二选择晶体管的第一端提供放电路径至第一系统电压端。

本发明的另一实施例提供一种存储器系统。存储器系统包括多个存储器单元。多个存储器单元中的第一存储器单元包括第一反熔丝组件、第一选择晶体管、第二反熔丝组件、第二选择晶体管及感测控制电路。

第一反熔丝组件具有第一端及第二端，第一反熔丝组件的第一端耦接于反熔丝控制线。第一选择晶体管具有第一端、第二端及控制端，第一选择晶体管的第二端耦接于第一位线，而第一选择晶体管的控制端耦接于第一字符线。第一选择晶体管根据第一字符线的电压传送第一位线及第一反熔丝组件的第二端之间的电压。第二反熔丝组件具有第一端及第二端，第二反熔丝组件的第一端耦接于反熔丝控制线。第二选择晶体管具有第一端、第二端及控制端，第二选择晶体管的第二端耦接于第二位线，而第二选择晶体管的控制端耦接于第一字符线。第二选择晶体管根据第一字符线的电压传送第二位线及第二反熔丝组件的第二端之间的电压。

感测控制电路耦接于第一选择晶体管的第一端及第二选择晶体管的第一端。在存储器单元的读取操作中，感测控制电路根据第一反熔丝组件及第二反熔丝组件的状态自第一选择晶体管的第一端或自第二选择晶体管的第一端提供放电路径至第一系统电压端。

附图说明

图1为本发明一实施例的存储器系统的示意图。

图2是图1的一存储器区段中存储器单元的示意图