[发明专利]存储器单元及存储器系统

权利要求书

1.一种存储器单元，其特征在于，包括：

第一反熔丝组件，具有耦接于反熔丝控制线的第一端，及第二端；

第一选择晶体管，具有第一端，耦接于第一位线的第二端，及耦接于字符线的控制端，所述第一选择晶体管用以根据所述字符线的电压传送所述第一位线及所述第一反熔丝组件的第二端之间的电压；

第二反熔丝组件，具有耦接于所述反熔丝控制线的第一端，及第二端；

第二选择晶体管，具有第一端，耦接于第二位线的第二端，及耦接于所述字符线的控制端，所述第二选择晶体管用以根据所述字符线的所述电压传送所述第二位线及所述第二反熔丝组件的第二端之间的电压；

感测控制电路，耦接于所述第一选择晶体管的所述第一端及所述第二选择晶体管的所述第一端，及用以在所述存储器单元的读取操作中，根据所述第一反熔丝组件及所述第二反熔丝组件的状态自所述第一选择晶体管的所述第一端或自所述第二选择晶体管的所述第一端提供放电路径至第一系统电压端；及

读取控制电路，包括：

预充电控制电路，耦接于所述第一位线及所述第二位线，及用以在所述读取操作前的感测操作中将所述第一位线及所述第二位线预充电至第三操作电压，所述第三操作电压大于0；及

差动感测放大器，耦接于所述第一位线及所述第二位线，及用以比较所述第一位线及所述第二位线的电压以产生数据信号。

2.如权利要求1所述的存储器单元，其特征在于在所述存储器单元的写入操作中，所述第一反熔丝组件及所述第二反熔丝组件被写入互补的数据。

3.如权利要求1所述的存储器单元，其特征在于：

所述第一选择晶体管的所述第一端是耦接于所述第一反熔丝组件的所述第二端；及

所述第二选择晶体管的所述第一端是耦接于所述第二反熔丝组件的所述第二端。

4.如权利要求3所述的存储器单元，其特征在于在所述存储器单元的写入操作中：

所述反熔丝控制线是在写入电压；

所述字符线是在第一操作电压；

所述第一位线是在第一数据电压；及

所述第二位线是在第二数据电压；

其中：

所述第一数据电压及所述第二数据电压的其中一者与所述第一操作电压相等，且另一者与第一系统电压相等；及

所述写入电压大于所述第一操作电压，及所述第一操作电压大于所述第一系统电压。

5.如权利要求1所述的存储器单元，其特征在于，还包括：

第一随栅晶体管，具有耦接于所述第一反熔丝组件的所述第二端的第一端，耦接于所述第一选择晶体管的所述第一端的第二端，耦接于随栅控制线的控制端；及

第二随栅晶体管，具有耦接于所述第二反熔丝组件的所述第二端的第一端，耦接于所述第二选择晶体管的所述第一端的第二端，耦接于所述随栅控制线的控制端。

6.如权利要求5所述的存储器单元，其特征在于在所述存储器单元的写入操作中：

所述反熔丝控制线是在写入电压；

所述字符线是在第一操作电压；

所述随栅控制线是在第二操作电压；

所述第一位线是在第一数据电压；及

所述第二位线是在第二数据电压；

其中：

所述第一数据电压及所述第二数据电压的其中一者与所述第一操作电压相等，且另一者与第一系统电压相等；及

所述写入电压大于所述第二操作电压，所述第二操作电压大于所述第一操作电压，及所述第一操作电压大于所述第一系统电压。