[发明专利]半导体封装件在审

专利信息
申请号: 201910953921.2 申请日: 2019-10-09
公开(公告)号: CN111048484A 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 金正守;韩平和;裴成桓;李镇洹 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 何巨;刘奕晴
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

连接结构,具有彼此背对的第一表面和第二表面,并包括重新分布层;

半导体芯片,设置在所述连接结构的所述第一表面上,并具有连接到所述重新分布层的连接垫;

包封剂,设置在所述连接结构的所述第一表面上并包封所述半导体芯片;

钝化层,设置在所述连接结构的所述第二表面上,并具有分别使所述重新分布层的第一区域和第二区域暴露的多个第一开口和多个第二开口;以及

多个凸块下金属凸块,分别通过所述多个第一开口连接到所述重新分布层的所述第一区域。

2.如权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:多个第一电连接金属,设置在所述钝化层上并分别连接到所述多个凸块下金属凸块;以及多个第二电连接金属,设置在所述多个第二开口的至少部分中,并且分别连接到所述重新分布层的所述第二区域。

3.如权利要求2所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括至少一个表面安装组件,所述至少一个表面安装组件设置在所述钝化层上并且具有连接到所述多个第二电连接金属的连接端子。

4.如权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述多个凸块下金属凸块包括与所述多个第二电连接金属的材料不同的材料。

5.如权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述多个第二电连接金属分别设置在所述多个第二开口中使得每个第二电连接金属的厚度大于所述钝化层的厚度。

6.如权利要求2所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括多个附加凸块下金属凸块,所述多个附加凸块下金属凸块分别连接到所述重新分布层的所述第二区域,并且沿着所述多个第二开口的内侧壁设置为使得所述多个附加凸块下金属凸块具有凹入部,

其中,所述多个第二电连接金属分别设置在所述多个附加凸块下金属凸块的所述凹入部的至少部分中。

7.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,在所述半导体封装件的平面图中,所述多个第二开口中的至少一些位于与所述半导体芯片叠置的区域中。

8.如权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括框架,所述框架设置在所述连接结构的所述第一表面上并且具有腔,所述半导体芯片设置在所述腔中。

9.如权利要求8所述的半导体封装件,其中,所述框架包括贯穿所述框架的上表面和下表面并连接到所述重新分布层的布线结构。

10.如权利要求9所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括布线图案层,所述布线图案层设置在所述包封剂上并连接到所述布线结构。

11.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

连接结构,具有彼此背对的第一表面和第二表面,并包括重新分布层;

半导体芯片,设置在所述连接结构的所述第一表面上,并具有连接到所述重新分布层的连接垫;

包封剂,设置在所述连接结构的所述第一表面上并包封所述半导体芯片;

钝化层,设置在所述连接结构的所述第二表面上,并具有各自使所述重新分布层的一个区域暴露的多个第一开口和多个第二开口;

多个第一凸块下金属凸块,分别通过所述多个第一开口连接到所述重新分布层;

多个第二凸块下金属凸块,连接到所述重新分布层,并沿着所述多个第二开口的内侧壁设置为使得所述多个第二凸块下金属凸块具有凹入部;

多个第一电连接金属,设置在所述钝化层上并分别连接到所述多个第一凸块下金属凸块;

多个第二电连接金属,设置在所述多个第二凸块下金属凸块的所述凹入部的至少部分中;以及

至少一个表面安装组件,设置在所述钝化层上并且具有连接到所述多个第二电连接金属的连接端子。

12.如权利要求11所述的半导体封装件,其中,所述多个第二开口中的每个的直径大于所述多个第一开口中的每个的直径。

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