[发明专利]半导体封装件在审
| 申请号: | 201910948844.1 | 申请日: | 2019-10-08 |
| 公开(公告)号: | CN111009508A | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
| 发明(设计)人: | 韩平和;金正守;崔元;裴成桓 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘奕晴;金光军 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:
连接结构,具有彼此背对的第一表面和第二表面并且包括第一重新分布层;
半导体芯片,设置在所述连接结构的所述第一表面上并且具有连接到所述第一重新分布层的连接垫;
包封剂,设置在所述连接结构的所述第一表面上,包封所述半导体芯片,并且包括不透明或半透明树脂;
标记,表示识别信息并且雕刻在所述包封剂中;以及
第一钝化层,设置在所述包封剂上并且包括透明树脂。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括布线结构和第二重新分布层,所述布线结构连接到所述第一重新分布层并且在所述包封剂的厚度方向上延伸,所述第二重新分布层设置在所述包封剂上并且连接到所述布线结构。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述包封剂包括包封所述半导体芯片的包封区域和设置在所述包封区域上的绝缘层,并且
所述第二重新分布层设置在所述绝缘层上,并且所述标记雕刻在所述绝缘层中。
4.根据权利要求3所述的半导体封装件,其中,所述标记的雕刻深度小于所述绝缘层的厚度。
5.根据权利要求3所述的半导体封装件,其中,所述标记雕刻在所述绝缘层和所述包封区域中。
6.根据权利要求3所述的半导体封装件,其中,所述包封区域和所述绝缘层包括相同的树脂。
7.根据权利要求2所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括框架,所述框架设置在所述连接结构的所述第一表面上并且具有其中容纳所述半导体芯片的腔,
其中,所述布线结构贯穿所述框架。
8.根据权利要求7所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括重新分布过孔,所述重新分布过孔贯穿所述包封剂的延伸区域并且使所述第二重新分布层和所述布线结构彼此连接,
其中,所述包封剂的所述延伸区域覆盖所述框架的上表面。
9.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述第一钝化层包括使所述第二重新分布层的一部分暴露的第一开口。
10.根据权利要求9所述的半导体封装件,其中,所述第一钝化层包括使所述标记暴露的第二开口。
11.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述布线结构包括贯穿所述包封剂的上表面和下表面的金属柱。
12.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述标记和所述第二重新分布层彼此间隔开。
13.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一钝化层包括感光电介质(PID)。
14.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述连接结构还包括绝缘层,所述绝缘层上形成有所述第一重新分布层,并且
所述第一钝化层和所述绝缘层包括感光电介质。
15.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述标记包括二维(2D)条码。
16.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:
第二钝化层,设置在所述连接结构的所述第二表面上并且具有使所述第一重新分布层的区域暴露的开口;
凸块下金属层,设置在所述第二钝化层的所述开口中并且连接到所述第一重新分布层的被暴露的所述区域;以及
电连接金属件,设置在所述凸块下金属层上并且电连接到所述第一重新分布层。
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