[发明专利]LDMOS器件及其制备方法

说明书

本发明涉及一种LDMOS器件及其制备方法，通过在半导体衬底和层间介质层之间设置阻挡层阻，可以在刻蚀层间介质层形成场板孔时使得场板孔刻蚀停止于阻挡层阻上。通过在阻挡层与漂移区之间设置第一氧化层，可以使得阻挡层表面形成台阶。由于阻挡层具有至少一层刻蚀停止层，且阻挡层表面形成有台阶，因此形成的至少两级孔场板呈阶梯状分布，且从栅极结构到漏区方向，第1级孔场板至第n级孔场板的下端逐渐远离所述漂移区，进而可以使得漂移区的前端和后段电场分布更均匀，提高LDMOS器件的击穿电压。另外，由于本申请中取消了漏区附近的浅沟槽隔离结构，因此可降低导通电阻。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种LDMOS器件及其制备方法。

背景技术

LDMOS(Lateral Double-Diffused MOSFET，横向扩散金属氧化物半导体)是一种横向功率器件，易于与低压信号以及其他器件单片集成，且有高耐压、高增益、低失真等优点，被广泛应用于功率集成电路中。

LDMOS的结构性能直接影响到功率集成电路的性能。衡量LDMOS性能的主要参数有导通电阻和击穿电压，导通电阻越小、击穿电压越大，LDMOS的性能越好。传统技术中，通常采用STI(Shallow Trench Isolation，浅沟道隔离)技术以提高击穿电压，但发明人在实现传统技术的过程中发现，采用STI技术会导致导通电阻增大。因此，需要提出一种提高击穿电压的同时不影响导通电阻的LDMOS器件。

发明内容

基于此，有必要针对传统技术中提高了击穿电压的同时也增大了导通电阻的问题，提供一种LDMOS器件及其制备方法。

一种LDMOS器件的制备方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有体区和漂移区，所述体区内设置源区，所述漂移区内设置漏区，且所述半导体衬底上还形成有栅极结构；

在所述半导体衬底上沉积第一氧化层，所述第一氧化层位于所述漏区和部分所述漂移区上；

在所述半导体衬底上形成阻挡层，所述阻挡层包括n-1层刻蚀停止层，其中n为大于等于2的整数，当n大于2时，所述刻蚀停止层层叠设置，相邻所述刻蚀停止层之间设置有绝缘层，所述阻挡层覆盖所述漂移区和所述第一氧化层，所述阻挡层具有台阶，所述漂移区上对应的所述阻挡层所在的平面低于所述第一氧化层上对应的所述阻挡层所在的平面；

形成层间介质层并刻蚀所述层间介质层和所述阻挡层，以形成n级场板孔，，其中，所述漂移区上对应的第1层刻蚀停止层至第n-1层刻蚀停止层上分别对应设置第1级场板孔至第n-1级场板孔，还在所述第一氧化层上对应的第n-1层刻蚀停止层上设置第n级场板孔。

在其中一个实施例中，所述层间介质层包括氧化物。

在其中一个实施例中，所述形成层间介质层并刻蚀所述层间介质层和所述阻挡层，以形成n级场板孔，还包括：

同时刻蚀所述层间介质层形成源极接触孔和漏极接触孔，所述源极接触孔刻蚀停止于所述源区，所述漏极接触孔刻蚀停止于所述漏区；

在所述源极接触孔、所述漏极接触孔、所述n级场板孔中填充金属以形成源电极、漏电极、和n级孔场板。

在其中一个实施例中，所述第一氧化层的厚度包括

在其中一个实施例中，所述绝缘层包括氧化物，所述绝缘层的厚度包括

一种LDMOS器件，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底中形成有体区和漂移区，所述体区内设置源区，所述漂移区内设置漏区，且所述半导体衬底上还设有栅极结构；

第一氧化层，设置于部分所述漂移区上，且邻接所述漏区；