[发明专利]LDMOS器件及其制备方法有效

申请号：	201910948286.9	申请日：	2019-10-08
公开（公告）号：	CN112635541B	公开（公告）日：	2022-08-12
发明（设计）人：	金华俊;李春旭	申请（专利权）人：	无锡华润上华科技有限公司
主分类号：	H01L29/06	分类号：	H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336;H01L29/78
代理公司：	华进联合专利商标代理有限公司 44224	代理人：	虞凌霄
地址：	214028 江苏省无***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	ldmos 器件及其制备方法
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【权利要求书】：

1.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有体区和漂移区，所述体区内设置源区，所述漂移区内设置漏区，且所述半导体衬底上还形成有栅极结构；

在所述半导体衬底上沉积第一氧化层，所述第一氧化层位于所述漏区和部分所述漂移区上；

在所述半导体衬底上形成阻挡层，所述阻挡层包括n-1层刻蚀停止层，其中n为大于等于2的整数，当n大于2时，所述刻蚀停止层层叠设置，相邻所述刻蚀停止层之间设置有绝缘层，所述阻挡层覆盖所述漂移区和所述第一氧化层，所述阻挡层具有台阶，所述漂移区上对应的所述阻挡层所在的平面低于所述第一氧化层上对应的所述阻挡层所在的平面；

形成层间介质层并刻蚀所述层间介质层和所述阻挡层，以形成n级场板孔，其中，所述漂移区上对应的第1层刻蚀停止层至第n-1层刻蚀停止层上分别对应设置第1级场板孔至第n-1级场板孔，还在所述第一氧化层上对应的第n-1层刻蚀停止层上设置第n级场板孔，

在所述n级场板孔中填充金属以形成n级孔场板，n级孔场板底部距所述漂移区的垂直距离均不同。

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述层间介质层包括氧化物。

3.根据权利要求2所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述形成层间介质层并刻蚀所述层间介质层和所述阻挡层，以形成n级场板孔，还包括：

同时刻蚀所述层间介质层形成源极接触孔和漏极接触孔，所述源极接触孔刻蚀停止于所述源区，所述漏极接触孔刻蚀停止于所述漏区；

在所述源极接触孔、所述漏极接触孔中填充金属以形成源电极、漏电极。

4.根据权利要求3所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度包括

5.根据权利要求4所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述绝缘层包括氧化物，所述绝缘层的厚度包括

6.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底中形成有体区和漂移区，所述体区内设置源区，所述漂移区内设置漏区，且所述半导体衬底上还设有栅极结构；

第一氧化层，设置于部分所述漂移区上，且邻接所述漏区；

阻挡层，包括n-1层刻蚀停止层，其中n为大于等于2的整数，当n大于2时，所述刻蚀停止层层叠设置，相邻所述刻蚀停止层之间设置有绝缘层，所述阻挡层覆盖所述漂移区和所述第一氧化层，所述阻挡层具有台阶，所述漂移区上对应的所述阻挡层所在的平面低于所述第一氧化层上对应的所述阻挡层所在的平面；