[发明专利]一种衬底片表面残余应力释放的方法

说明书

本发明提供了一种衬底片表面残余应力释放的方法，涉及LED技术领域，衬底片表面残余应力释放的方法包括：采用离子束轰击衬底片，其中，所述离子束的流量为5‑50sccm，源功率为500‑1200W；偏压源功率为150‑350W。采用离子束轰击衬底片，可以减小或消除衬底片表面的残余应力，从而减小衬底片的变形，使衬底满足精度要求；且该方法操作简单、方便，可以达到快速高效的修正效果。

技术领域

本发明涉及LED技术领域，尤其是涉及一种衬底片表面残余应力释放的方法；具体地，涉及衬底片及其表面残余应力释放的方法、衬底片和灯具或者显示装置。

背景技术

目前，无论发光二级管或功率器件需求的衬底加工质量对最终发光二极管的发光效率和寿命与器件使用品质有很重要的影响。目前的衬底片主要经过线切、双面研磨、倒角、高温退火、单面铜抛、单面化学机械抛光(CMP)等主要加工工序制备得到，然而，上述加工得到的衬底片存在Bow值和Warp值过大而不符合要求的问题。目前一般通过重新加工使不达标的衬底片的面形符合要求，然而，重新加工工艺过程复杂、成本高且会导致衬底片过薄而不符合要求。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的目的在于提供一种衬底片表面残余应力释放的方法，采用离子束轰击衬底片(例如有误差甚至误差较大的衬底片)，可以减小或消除衬底片表面的残余应力，从而减小衬底片的变形，使衬底片满足精度要求；且该方法操作简单、方便，可以达到快速高效的修正效果。

本发明提供的衬底片表面残余应力释放的方法，包括：采用离子束轰击衬底片，其中，所述离子束的流量为5-50sccm，源功率为500-1200W；偏压源功率为150-350W。

进一步地，所述离子束轰击所述衬底片的速度为0.3-1μm/h。

进一步地，所述离子束与所述衬底片的夹角为30°-90°。

进一步地，采用离子束轰击衬底片的时间为20-200min。

进一步地，所述离子束包括氩离子、氯离子、磷离子、碳离子以及氮离子中的至少一种。

进一步地，所述衬底片包括蓝宝石、碳化硅以及硅中的至少一种；

优选地，所述碳化硅包括单晶碳化硅；

优选地，所述硅包括单晶硅。

进一步地，所述衬底片的厚度为250-800μm。

进一步地，经过离子束轰击后，所述衬底片的Bow值大于等于-15μm小于等于-25μm，Warp值大于等于15μm小于等于25μm。

一种利用前面所述的方法处理得到的衬底片。

一种灯具或者显示装置，包括前面所述的衬底片。

与现有技术相比，本发明至少可以取得以下有益效果：

本发明采用离子束轰击衬底片的方式对LED进行修正，操作简单、方便，易于实现，成本较低，可以实现高效修正衬底片的效果；离子束轰击可以有效降低衬底片表面的残余应力，利于减小衬底片的变形，使得衬底片的Bow值和Warp值减小，进而使得衬底片满足精度要求；该方法对衬底片的厚度的改变较小，可以提高衬底片的利用率，利于进一步降低成本。

另外，本发明中，离子束的流量和离子束轰击衬底片的速度之间相互配合，当离子束流量越大，可与衬底反应的离子多，离子轰击速度快，相对蚀刻速度快。

附图说明