[发明专利]一种衬底片表面残余应力释放的方法在审
| 申请号： | 201910947325.3 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110660657A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 林武庆;张洁;苏双图;赖柏帆 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 11646 北京超成律师事务所 | 代理人： | 董佳 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底片 离子束轰击 表面残余 应力释放 减小 残余应力 精度要求 离子束 偏压源 源功率 衬底 变形 修正 | ||
【权利要求书】：
1.一种衬底片表面残余应力释放的方法，其特征在于，包括：采用离子束轰击衬底片，其中，所述离子束的流量为5-50sccm，源功率为500-1200W；偏压源功率为150-350W。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子束轰击所述衬底片的速度为0.3-1μm/h。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子束与所述衬底片的夹角为30°-90°。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，采用离子束轰击衬底片的时间为20-200min。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子束包括氩离子、氯离子、磷离子、碳离子以及氮离子中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底片包括蓝宝石、碳化硅以及硅中的至少一种；
优选地，所述碳化硅包括单晶碳化硅；
优选地，所述硅包括单晶硅。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底片的厚度为250-800μm。
8.根据权利要求1、2、3、5、6或7所述的方法，其特征在于，经过离子束轰击后，所述衬底片的Bow值大于等于-15μm小于等于-25μm，Warp值大于等于15μm小于等于25μm。
9.一种利用权利要求1-8任一项所述的方法处理得到的衬底片。
10.一种灯具或者显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的衬底片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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