[发明专利]一种蓝宝石晶片的贴片方法

说明书

本发明提供了一种蓝宝石晶片的贴片方法。本发明在晶片分选厚度过程中，先对晶片正负BOW面进行分选，并将正BOW面或负BOW面统一方向上机贴片，进行统一负BOW面铜抛、化抛加工。不进行正负BOW值分面贴片产品在加工过程中会出现正负BOW面不统一，正BOW面不良占比≥8％，进行分面贴合后，进行‑BOW面加工，正BOW面不良率可大大降低，综合不良率≤2％。

技术领域

本发明涉及的是一种晶片(包含蓝宝石衬底片、单晶硅、碳化硅等硬脆性材料)贴合的工艺方法。

背景技术

蓝宝石作为一种硬性材料，是一种理想的LED芯片材料。作为LED理想材料不但稳定性好，能够在高温下保持稳定性，而且生产技术成熟、器件质量较好。在于单晶硅、碳化硅衬底相比更容易清洗，因此目前市面上主要采用蓝宝石作为理想衬底材料。

但在实际生产过程中，生产良率的高低、产品面型的控制，直接影响着LED芯片的成本和产品质量(量子效率、出光效率及产品功率等)。因此材料加工过程中的控制尤其重要。在衬底材料加工初期，由于缺少验证，未对退火晶片进行分面(正负BOW)贴片加工，导致产品+BOW不良增加，面型难以控制。该使用新型方法采用分面贴合工艺，在退火片分选过程中对产品进行分面处理，贴片统一采用+BOW面贴合，后段进行-BOW面加工。该加工方法可提升整体良率1.5％。

发明内容

本发明的目的是提供了一种提升一次直通率、增加产品BOW值的一致性、提升整体生产效率的贴片方法。

本发明的技术方案：

一种蓝宝石晶片的贴片方法，步骤如下：

(1)将退火后晶片进行厚度分选，每10um分为一档，并将根据设备测量数据将正BOW值、负BOW值产品区分开；

(2)将区分好BOW值的产品，负BOW面统一朝向晶片料盒U面放入料盒，清洗；

(3)产品清洗后，保持晶片统一BOW值方向，负BOW值朝下，导入贴片设备，确保在贴合时正BOW面贴合在陶瓷盘上；

(4)将导入后的晶片进行液态蜡贴片，贴片温度300-500℃，烘烤时间30-60S，甩蜡速度1500-3500rpm；

(5)将贴合好的晶片利用1.5-6um钻石液进行铜盘铜抛加工，转速30-70rpm，压力150-300g/cm²，加工温度20-38℃，加工30-60min；

(6)铜抛完成后进入带片陶瓷盘刷洗机刷洗，使体积浓度比为5％-40％的水基环保清洗剂，温度50-85℃，刷洗时间30-120s；

(7)刷洗完成后不下片直接进入化抛机进行抛光，使用20wt％的氧化铝抛光液配合抛光布，压力300g/cm²-500g/cm²，转速40-70rpm，加工温度30℃-50℃，40-100分钟。

本发明的有益效果：本发明的主要由原不分正负BOW面进行贴片，贴片后进行铜抛、化抛加工。改善后在晶片分选厚度过程中，先对晶片正负BOW面进行分选，并将正BOW或负BOW面统一方向上机贴片，进行统一负BOW面铜抛、化抛加工。其优点在于，不进行正负BOW值分面贴片产品在加工过程中会出现正负BOW面不统一，正BOW面不良占比≥8％，进行分面贴合后，进行-BOW面加工，正BOW面不良率可大大降低，综合不良率≤2％。

具体实施方式

以下结合技术方案，进一步说明本发明的具体实施方式。

实施例

(1)分选：将退火后晶片进行厚度分选，每10um分为一档，将正BOW、负BOW产品区分开，负BOW统一朝向卡塞U面；