[发明专利]一种蓝宝石晶片的贴片方法在审
| 申请号： | 201910946951.0 | 申请日： | 2019-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN110729175A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 卢东阳;余胜军;杨青;张京伟 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 21200 大连理工大学专利中心 | 代理人： | 温福雪 |
| 地址： | 223001*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 不良率 贴片 蓝宝石晶片 晶片分选 贴片产品 统一方向 面加工 面贴合 分选 晶片 上机 统一 加工 | ||
【权利要求书】：
1.一种蓝宝石晶片的贴片方法，其特征在于，步骤如下：
(1)将退火后晶片进行厚度分选，每10um分为一档，并将根据设备测量数据将正BOW值、负BOW值产品区分开；
(2)将区分好BOW值的产品，负BOW面统一朝向晶片料盒U面放入料盒，清洗；
(3)产品清洗后，保持晶片统一BOW值方向，负BOW值朝下，导入贴片设备，确保在贴合时正BOW面贴合在陶瓷盘上；
(4)将导入后的晶片进行液态蜡贴片，贴片温度300-500℃，烘烤时间30-60S，甩蜡速度1500-3500rpm；
(5)将贴合好的晶片利用1.5-6um钻石液进行铜盘铜抛加工，转速30-70rpm，压力150-300g/cm2，加工温度20-38℃，加工30-60min；
(6)铜抛完成后进入带片陶瓷盘刷洗机刷洗，使体积浓度比为5％-40％的水基环保清洗剂，温度50-85℃，刷洗时间30-120s；
(7)刷洗完成后不下片直接进入化抛机进行抛光，使用20wt％的氧化铝抛光液配合抛光布，压力300g/cm2-500g/cm2，转速40-70rpm，加工温度30℃-50℃，40-100分钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于淮安澳洋顺昌集成电路股份有限公司，未经淮安澳洋顺昌集成电路股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910946951.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
