[发明专利]显示面板和制造该显示面板的方法在审
申请号: | 201910940883.7 | 申请日: | 2019-09-30 |
公开(公告)号: | CN111063704A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 申铉亿;高京秀;金湘甲;朴弘植;孙尙佑;宋都根;申相原;杨受京;李东敏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;张川绪 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制造 方法 | ||
提供了一种显示面板和制造该显示面板的方法,所述显示面板包括:基体层;信号线,设置在基体层上,信号线包括:第一层,包括铝;以及第二层,直接设置在第一层上,第二层包括铌钛合金;第一薄膜晶体管,连接到信号线;第二薄膜晶体管,设置在基体层上;电容器,电连接到第二薄膜晶体管;以及发光元件,电连接到第二薄膜晶体管。
本申请要求于2018年10月16日提交的第10-2018-0122876号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请为了所有的目的而通过引用被包含于此,如同在此完全阐述一样。
技术领域
发明的示例性实施方式总体上涉及显示面板,更具体地讲,涉及显示面板和制造具有信号线的显示面板的方法,所述方法产生具有更快的信号传输速度的更稳定的显示面板。
背景技术
显示装置包括用于控制多条信号线和多个像素的驱动电路(例如,栅极驱动电路和数据驱动电路)。每个像素包括显示元件和控制显示元件的像素驱动电路。像素驱动电路包括系统性地彼此连接的多个薄膜晶体管。
显示装置近来的趁势是增大分辨率和/或消除围绕显示的边框,围绕显示的边框的消除会减小用于在显示中的各种信号线的空间,用于在显示中的各种信号线的空间的减小会导致增大故障和/或减小速度。
在该背景部分中公开的以上信息仅用于理解发明构思的背景,因此,它可包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据发明的示例性实施方式构造的显示面板具有改善的信号传输速度。另外,制造根据发明的示例性实施方式的显示面板的方法提供了减小的故障率。
发明构思的另外的特征将在下面的描述中阐述,并且部分将从描述中而显而易见,或者可以通过发明构思的实践来获知。
根据发明的一个或更多个示例性实施例,一种显示面板包括:基体层;信号线,设置在基体层上,信号线包括:第一层,包括铝;以及第二层,直接设置在第一层上,第二层包括铌钛合金;第一薄膜晶体管,连接到信号线;第二薄膜晶体管,设置在基体层上;电容器,电连接到第二薄膜晶体管;以及发光元件,电连接到第二薄膜晶体管。
第一薄膜晶体管可以包括第一多晶硅图案、第一控制电极、第一输入电极和第一输出电极。第一多晶硅图案可以设置在基体层上。第一控制电极可以与第一多晶硅图案叠置并且可以连接到信号线。第一输入电极和第一输出电极中的每个可以连接到第一多晶硅图案。
第一控制电极可以具有与信号线基本相同的堆叠结构。
第二薄膜晶体管可以包括第二多晶硅图案、第二控制电极、第二输入电极和第二输出电极。第二多晶硅图案可以设置在基体层上。第二控制电极可以与第二多晶硅图案叠置并且可以设置在与在第一控制电极下的层不同的层上。第二输入电极和第二输出电极中的每个可以连接到第二多晶硅图案。
电容器可以包括:第一电极,设置在与在信号线下的层基本相同的层上;以及第二电极,设置在与在第二控制电极下的层基本相同的层上。第一电极可以具有与信号线基本相同的堆叠结构。
第二控制电极和第二电极可以包括:第一层,包括铝镍镧合金;以及第二层,直接设置在第一层上并且包括铌钛合金。
第一层还可以包括镍和镧。镍相对于第一层的含量可以在从大约0.01at%至大约0.05at%的范围内,镧相对于第一层的含量可以在从大约0.02at%至大约0.05at%的范围内。
钛相对于第二层的含量可以在从大约5at%至大约50at%的范围内,以及铌相对于第二层的含量可以在从大约50at%至大约95at%的范围内。
信号线可以具有在从大约3μm至大约5μm的范围内的线宽。
第一层的厚度可以在从大约至大约的范围内,第二层的厚度可以在从大约至大约的范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的