[发明专利]一种通孔结构及其制作方法

说明书

本发明公开一种通孔结构及其制作方法，本方案采用正面孔洞和背面孔洞相结合的方式制程通孔。通过第一氮化层的沉积，实现背面蚀刻的孔洞与正面蚀刻的孔洞的对接，同时也保证了整体侧壁的垂直度。在进行电镀金属时沉积金属层的厚度与电镀的时间和电流密度成正比，形成更厚的沉积层封合正面孔洞。避免蜡流进深孔，避免后续工艺去蜡和蓝宝石。通过正面孔洞和背面孔洞相结合的方式保证了所涂布光阻的厚度，从而避免显影轮廓及晶圆表面异常等问题的发生，降低黄光微影的制程难度，提高通孔的精度与良率。提升制程效率，减少光阻用量，避免显影时发生轮廓及晶圆表面异常，降低黄光微影的制程难度，提高通孔的精度与良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种通孔结构及其制作方法。

背景技术

在半导体制作领域中，人们一直采用金属和光阻或单用光阻的方式来制程通孔。在单用光阻中相同时间可以获得更深的蚀刻深度。但如果要获得超过150μm的通孔则需要增加光阻厚度，然而涂布光阻过厚则会出现显影轮廓及晶圆表面异常等问题，从而进一步影响通孔的形貌。同时在制作超过150μm的深孔是，通过增加光阻厚度的方式则会提高黄光制程困难，且良率较低。在现有CVD(化学气相沉积)机台无法实现背面的氮化硅沉积，故无法使用氮化硅和光阻来充当掩膜。所以业界都在探寻一种通孔结构及其制作方法。

发明内容

为此，需要提供一种通孔结构及其制作方法，以解决晶圆表面异常且通孔良率低等问题。

为实现上述目的，发明人提供了一种通孔的制作方法，包括如下步骤：

在半导体衬底上覆盖第一光阻层，并在待通孔处显影；

以第一光阻层为掩膜，蚀刻半导体衬底制得正面孔洞；

去除第一光阻层，并沉积第一氮化层；

溅镀籽晶层，并沉积金属到正面孔洞处；

半导体衬底正面覆盖蜡和蓝宝石后进行背面工艺；

在半导体衬底背面涂布第二光阻层，在待通孔处显影，以第二光阻层为掩膜蚀刻半导体衬底以及第一氮化层，制得与正面孔洞互通的背面孔洞，形成通孔结构。

进一步地，所述正面孔洞直径大于所述背面孔洞直径。

进一步地，沉积金属到正面孔洞处包括步骤：

覆盖第三光阻层，并在正面孔洞处显影；

沉积金属后，去除第三光阻层。

进一步地，在覆盖第一光阻层之前，还包括步骤：覆盖第二氮化层。

进一步地，还包括以下步骤：

对所述背面孔洞的侧壁进行电镀填孔或金属镀膜，并形成金属层。

进一步地，所述第二氮化层厚度为所述第一光阻层厚度为28μm，所述第二光阻层厚度为28μm。

进一步地，所述沉积籽晶层的金属为铬、镍或钛钨合金。

进一步地，所述半导体衬底为砷化镓衬底。

本发明提供一种通孔结构，所述通孔结构由本发明实施例任意一项所述一种通孔的制作方法制得。