[发明专利]一种通孔结构及其制作方法

权利要求书

1.一种通孔的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在半导体衬底上覆盖第一光阻层，并在待通孔处显影；

以第一光阻层为掩膜，蚀刻半导体衬底制得正面孔洞；

去除第一光阻层，并沉积第一氮化层；

溅镀籽晶层，籽晶层在正面孔洞开口处沉积厚度相对孔内部较大，并沉积金属到正面孔洞开口处；

半导体衬底正面覆盖蜡和蓝宝石后进行背面工艺；

在半导体衬底背面涂布第二光阻层，在待通孔处显影，以第二光阻层为掩膜蚀刻半导体衬底以及第一氮化层，制得与正面孔洞互通的背面孔洞，形成通孔结构。

2.根据权利要求1所述的一种通孔的制作方法，其特征在于，所述正面孔洞直径大于所述背面孔洞直径。

3.根据权利要求1所述的一种通孔的制作方法，其特征在于，沉积金属到正面孔洞处包括步骤：

覆盖第三光阻层，并在正面孔洞处显影；

沉积金属后，去除第三光阻层。

4.根据权利要求1所述的一种通孔的制作方法，其特征在于，在覆盖第一光阻层之前，还包括步骤：覆盖第二氮化层。

5.根据权利要求1所述的一种通孔的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：

对所述背面孔洞的侧壁进行电镀填孔或金属镀膜，并形成金属层。

6.根据权利要求4所述的一种通孔的制作方法，其特征在于，所述第二氮化层厚度为1000Å，所述第一光阻层厚度为28μm，所述第二光阻层厚度为28μm。

7.根据权利要求1所述的一种通孔的制作方法，其特征在于，所述沉积籽晶层的金属为铬、镍或钛钨合金。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的一种通孔的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底为砷化镓衬底。

9.一种通孔结构，其特征在于，所述一种通孔结构由权利要求1到8任意一项所述一种通孔的制作方法制得。