[发明专利]电子装置

说明书

公开一种包括包含第一半导体芯片和第二半导体芯片的叠层结构的电子装置。在一个示例中，所述第一半导体芯片包括在其中布置传感器的传感器部分，且所述第二半导体芯片包括在其中处理由所述传感器获得的信号的信号处理部分。该信号处理部分包括高击穿电压晶体管电路和低击穿电压晶体管电路。该低击穿电压晶体管电路包括耗尽型场效应晶体管。

本申请是申请号为201410800494.1、申请日为2014年12月19日、发明名称为“电子装置”的发明专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年12月26日提交的日本优先权专利申请JP 2013-268253的权益，其整体内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开涉及电子装置。

背景技术

在诸如固态成像器件(具有其中诸如CMOS图像传感器的多个传感器以二维矩阵布置的结构)之类的电子装置中，对于信号处理的进步和小型化的需求正在增加。为了实现该需求，例如日本未审查专利申请公开第2011-159958号已经提出了通过以叠层(lamination)结构提供多个半导体芯片将大型信号处理电路集成在具有等效于现有技术中的尺寸的尺寸的半导体芯片中的方法。具体地，该方法具有如下叠层结构，其中在配备有用于信号处理的逻辑电路的芯片(以下，还可以称为“第二半导体芯片”)上叠层配备有其中以二维矩阵布置生成模拟信号的多个传感器的传感器部分(传感器阵列)的半导体芯片(以下，还可以称为“第一半导体芯片”)。配置第一半导体芯片的各种电路以及配置第二半导体芯片的各种电路例如通过在第一半导体芯片中形成的直接接触(through contact)(硅)VIA(TC(S)V)彼此连接。因此，通过以此方式叠层多个半导体芯片来实现电子装置的小型化。

发明内容

顺便提及，在半导体芯片中，每单位面积半导体器件的数量变得巨大，导致整体上在半导体芯片中半导体器件的泄漏电流的增加的主要缺点。存在由伴随着功耗增加的热噪声引起的传感器的性能劣化的另一主要缺点。

因此，期望提供具有如下配置和结构的电子装置，其中在半导体芯片中可以实现低功耗并可以防止热噪声引起的传感器的性能劣化。

根据一个示例，公开了包括包含第一半导体芯片和第二半导体芯片的叠层结构的电子装置。第一半导体芯片包括其中布置传感器的传感器部分，第二半导体芯片包括其中处理传感器获得的信号的信号处理部分，该信号处理部分包括耗尽型场效应晶体管。

根据另一示例，电子装置包括叠层结构，该叠层结构包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。该第一半导体芯片包括其中布置传感器的传感器部分，而该第二半导体芯片包括其中处理由传感器获得的信号的信号处理部分，其中，信号处理部分包括高击穿电压晶体管电路和低击穿电压晶体管电路，并且其中该低击穿电压晶体管电路包括耗尽型场效应晶体管。

根据另一示例，提供了包括具有其中布置传感器的传感器部分的第一半导体芯片和具有其中处理由传感器获得的信号的信号处理部分的第二半导体芯片。第一半导体和第二半导体叠层。信号处理部分具有高击穿电压晶体管系统电路和低击穿电压晶体管系统电路。低击穿电压晶体管系统电路的至少一部分具有耗尽型场效应晶体管。

在根据一些示例的电子装置中，信号处理部分的至少一部分具有耗尽型场效应晶体管或低击穿电压晶体管系统电路的至少一部分具有耗尽型场效应晶体管，以使得可以整体上在电子装置中实现低功耗。其结果是，可以防止由热噪声引起的传感器的性能劣化。在本说明书中描述的效果仅为示例，而不限制于此，并且可以存在额外的效果。

附图说明

图1是示例1中的电子装置的概念图；

图2是图示示例1中的电子装置在第一半导体芯片侧上的电路以及在第二半导体芯片侧上的电路的具体配置的电路图；