[发明专利]电子装置

权利要求书

1.一种电子装置，包括：

第一半导体芯片；

第二半导体芯片，其在所述第一半导体芯片的下方；以及

其中，

所述第一半导体芯片包括在其中布置传感器的传感器部分，并且

所述第二半导体芯片包括在其中处理由所述传感器获得的信号的信号处理部分；

其中所述信号处理部分包括耗尽型场效应晶体管；

其中所述信号处理部分包括存储器部分和数据处理部分，所述信号处理部分被配置为：

以比帧速率更快的第一速度向所述存储器部分传输图像数据；

将所传输的图像数据保持在所述存储器部分中；以及

由所述数据处理部分以比所述第一速度更慢的第二速度从所述存储器部分读出所述图像数据。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述信号处理部分包括高击穿电压晶体管电路和低击穿电压晶体管电路。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述低击穿电压晶体管电路包括耗尽型场效应晶体管。

4.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述高击穿电压晶体管电路和所述传感器部分以平面图视角彼此重叠，并且其中在所述第二半导体芯片中，遮光区域形成在所述高击穿电压晶体管电路和所述传感器部分之间。

5.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述高击穿电压晶体管电路和所述传感器部分不以平面图视角彼此重叠。

6.根据权利要求2所述的电子装置，其中，其中所述传感器是图像传感器，并且其中所述电子装置是固态成像器件。

7.根据权利要求6所述的电子装置，其中，其中所述图像传感器是CMOS图像传感器。

8.根据权利要求2所述的电子装置，其中，其中所述耗尽型场效应晶体管包括完全耗尽型SOI结构。

9.根据权利要求2所述的电子装置，其中，其中所述耗尽型场效应晶体管包括部分耗尽型SOI结构。

10.根据权利要求2所述的电子装置，其中，其中所述耗尽型场效应晶体管包括鳍状结构。

11.根据权利要求2所述的电子装置，其中，其中所述耗尽型场效应晶体管包括深度耗尽沟道结构。

12.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述信号处理部分和所述低击穿电压晶体管电路中的至少一个包括模数转换器，并且其中，所述模数转换器包括耗尽型场效应晶体管。

13.根据权利要求12所述的电子装置，其中，其中所述模数转换器包括单斜型模数转换器、逐次逼近型模数转换器以及delta-sigma调制型模数转换器中的至少一个。

14.根据权利要求12所述的电子装置，其中，所述模数转换器包括格雷码计数器。

15.根据权利要求12所述的电子装置，其中，关于多个传感器提供所述模数转换器，其中所述模数转换器是单斜型模数转换器，并且包括斜坡电压生成器，向其输入由所述传感器获得的模拟信号和来自所述斜坡电压生成器的斜坡电压的比较器，以及向其供应来自时钟供应部分的时钟并且其基于所述比较器的输出信号操作的计数器部分，并且其中所述计数器部分包括所述耗尽型场效应晶体管。

16.根据权利要求15所述的电子装置，其中，其中所述时钟供应部分包括所述耗尽型场效应晶体管。

17.根据权利要求12所述的电子装置，其中所述信号处理部分或所述低击穿电压晶体管电路包括连接到所述模数转换器的时钟供应部分，并且其中所述时钟供应部分具有所述耗尽型场效应晶体管。