[发明专利]增材制造的方法和增材制造装置在审
申请号: | 201910937204.0 | 申请日: | 2019-09-29 |
公开(公告)号: | CN110970290A | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 奥姆·普拉卡什;梅加·萨胡 | 申请(专利权)人: | 波音公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 沈丹阳 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 方法 装置 | ||
本申请涉及增材制造的方法和增材制造装置。提供一种增材制造方法,该方法包括:沉积基底材料的层,从所述基底材料的层生产增加性制造部分。方法还包括:使浆料沉积在基底材料的层上,其中,浆料包括溶剂、结构材料的颗粒、以及增强剂。
技术领域
示例性的实施方式整体涉及增材制造,并且更具体地,涉及增材制造原位增强的结构。
背景技术
通常,在增材制造中,将粉末散布在建筑板上(或由沉积在建筑板上的上一层粉末形成的粉床上)或使材料纤维按照并排布置的方式沉积在建筑板上(或上一沉积层的纤维的顶部上)。然后,使粉末或纤维熔融在一起,以形成所需的制造零件/制品(此处被称为“结构”)。利用激光或被配置为使粉末或纤维熔融在一起的任意其他合适的能源可以实现颗粒的熔融。当粉末沉积时,在粉末的颗粒之间并且在由此形成的粉末的相邻层之间形成空隙和/或孔。例如,粉末颗粒通常具有球形形状,当彼此毗邻时,颗粒可能会建立空隙和/或孔。同样,当纤维沉积时,纤维的圆柱形状可能导致在相邻的纤维之间并且在由此形成的纤维的相邻层之间产生空隙和/或孔。空隙和孔还可能来自沉积过程中的变化。
增材制造结构可能由于空隙和/或孔而具有不良的表面光洁度。进一步地,增材制造结构可以表现出各向异性的机械性能。例如,考虑其中纤维或粉末层在X-Y平面内沉积并且在Z方向上堆叠在彼此的顶部上的三维(X,Y,Z)结构。仅出于示例性之目的,结构在Z方向上的张力可以是结构在X-Y平面内的张力的约40%至约55%。这种各向异性行为可能归因于粉末层或纤维层之间存在的空隙和/或孔。
除上述内容之外,能够使用各种各样的基底材料(例如,金属、聚合物、以及陶瓷)利用增材制造生成结构;然而,尽管可以选择基底材料,然而,常规的增材制造技术不提供对由基底材料形成的结构的性能(例如,诸如传导性等)进行微调或改变的能力。例如,如果基底材料是导体,则利用基底材料形成的合成结构将是传导的。同样,如果基底材料是绝缘体,则利用基底材料形成的合成结构将是绝缘的,并且常规地,增材制造过程不提供赋予绝缘结构的传导性。
发明内容
相应地,旨在至少解决上面确认的问题的装置与方法将会体现实用性。
下面是要求保护或不要求保护根据本公开的主题的实施例的非排他性列表。
根据本公开的主题的一个实施例涉及一种增材制造的方法。方法包括:沉积基底材料的层,从所述基底材料的层生产增加性制造部分;并且使浆料沉积在基底材料的层上,其中,浆料包括溶剂、结构材料的颗粒、以及增强剂。
根据本公开的主题的另一实施例涉及一种增材制造的方法。方法包括:沉积基底材料的层;并且使浆料沉积在基底材料的层上,其中,浆料包括溶剂、结构材料的颗粒、以及增强剂;并且其中,使基底材料的层与浆料交替沉积,以利用填隙式地设置在基底材料的堆叠层之间的浆料形成基底材料的堆叠层,浆料至少部分填充基底材料的堆叠层中的基底材料相邻层之间的一个或多个空隙和孔,以增强基底材料的相邻层的耦合。
根据本公开的主题的又一实施例涉及一种增加性制造部分,包括:基底材料的至少一层;和增强剂,设置在基底材料的至少一层上,其中,增强剂作为浆料沉积在至少一个基底层上,以至少部分填充基底材料的至少一层中的一个或多个空隙和孔,其中,浆料包括溶剂、结构材料的颗粒、以及增强剂。
根据本公开的主题的又一实施例涉及一种增材制造装置,包括:框架;基底材料支撑床,耦合至框架;基底材料沉积单元,移动地耦合至框架并且设置在基底材料支撑床的上方,基底材料沉积单元被配置为使基底材料的一层或多层沉积在基底材料支撑床上;以及沉积设备,耦合至框架,以相对于框架定位,并且被配置为使浆料沉积在基底材料的一层或多层上,与基底材料的一层或多层原位沉积。
附图说明
由此大体上描述了本公开的实施例,现参考不一定必须按照比例绘制的所附附图,并且其中,贯穿若干幅图,类似参考标号表示相同或相似的零件,并且其中:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造