[发明专利]增材制造的方法和增材制造装置在审
申请号: | 201910937204.0 | 申请日: | 2019-09-29 |
公开(公告)号: | CN110970290A | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 奥姆·普拉卡什;梅加·萨胡 | 申请(专利权)人: | 波音公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 沈丹阳 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 方法 装置 | ||
1.一种增材制造的方法,所述方法包括:
沉积基底材料(120)的层(151),增加性制造部分(150)是从所述基底材料(120)的层(151)生产的;并且
使浆料(190)沉积在所述基底材料(120)的层(151)上,其中,所述浆料(190)包括溶剂(195)、结构材料的颗粒(194)、以及增强剂(193)。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述结构材料的颗粒(194)包括所述基底材料的颗粒(194A)、具有与所述基底材料不同的成分的金属颗粒(194C)、陶瓷颗粒(194D)、以及具有与所述基底材料不同的成分的聚合颗粒(194B)中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:使基底材料(120)的另一层(151A)沉积在涂敷所述浆料(190)的所述基底材料(120)的层(151)的顶部上。
4.根据权利要求3所述的方法,进一步包括:利用所述浆料(190)至少部分填充所述基底材料(120)的层(151)与所述基底材料(120)的另一层(151A)之间的一个或多个空隙(201)和孔(200)。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,
其中,沉积所述基底材料(120)的层(151)包括:使基底材料(120)的多根纤维(300)按照并排布置的方式沉积,以形成所述基底材料(120)的层(151);其中,
所述基底材料(120)的层(151)包括一个或多个空隙(201)和孔(200);并且
使所述浆料(190)沉积在所述基底材料(120)的层(151)上至少部分填充所述一个或多个空隙(201)和孔(200)。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,
其中,沉积所述基底材料(120)的层(151)包括:使粉末状的基底材料(121P、122P、123P)沉积,以形成所述基底材料(120)的层(151);其中,
所述基底材料(120)的层(151)包括一个或多个空隙(201)和孔(200);并且
使所述浆料(190)沉积在所述基底材料(120)的层(151)上至少部分填充所述一个或多个空隙(201)和孔(200)。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中,使所述浆料(190)沉积在所述基底材料的层(151)上包括:利用沉积设备(105)将所述浆料(190)喷射在所述基底材料的层(151)上,其中,所述沉积设备(105)是能移动的。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中,使所述浆料(190)沉积在所述基底材料(120)的层(151)上包括:利用相对于基底材料(120)固定的沉积设备(105)将所述浆料(190)喷射在所述基底材料(120)的层(151)上。
9.一种增材制造装置,包括:
框架(101);
基底材料支撑床(103),耦合至所述框架(101);
基底材料沉积单元(104),移动地耦合至所述框架(101)并且设置在所述基底材料支撑床(103)的上方,所述基底材料沉积单元(104)被配置为使基底材料(120)的一层或多层(151)沉积在所述基底材料支撑床(103)上;以及
沉积设备(105),耦合至所述框架(101),以相对于所述框架(101)定位,并且被配置为使浆料(190)沉积在所述基底材料(120)的一层或多层(151)上,并与所述基底材料(120)的一层或多层(151)原位沉积。
10.根据权利要求9所述的增材制造装置,其中,所述框架(101)形成至少封闭所述沉积设备(105)的喷嘴(105S)的腔(102),其中,所述浆料(190)通过所述喷嘴(105S)离开所述沉积设备(105)。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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