[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构

说明书

本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。该半导体封装方法包括：在待封装芯片的正面形成保护层；将正面形成有保护层的待封装芯片贴装于载板上，待封装芯片的正面朝上，背面朝向载板；在载板之上对待封装芯片及保护层进行封装，形成塑封层，其中，保护层和塑封层均为有机‑无机复合材料层。本申请利于提升芯片的散热性能，可保证芯片的持续高效运行以及解决芯片过热导致的影响寿命问题；进一步，通过设置待封装芯片的正面的保护层和塑封层均为有机‑无机复合材料层，能够降低封装工艺难度，提高封装质量，从而保证封装的成功率及产品的良率。

技术领域

本申请涉及一种半导体技术领域，尤其涉及一种半导体封装方法及半导体封装结构。

背景技术

近年来，随着电路集成技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向发展。封装技术不但影响产品的性能，而且还制约产品的小型化。

然而，现有芯片封装结构中芯片的性能有待提升、寿命有待延长。特别是，芯片在工作过程中，会产生热量，如果产生的热量不及时散出，将会对芯片的工作效率以及使用寿命产生不良影响。

有鉴于此，本申请提供一种新的芯片封装结构的制作方法，以解决上述技术问题。

发明内容

本申请的一个方面提供一种半导体封装方法，其包括：

在待封装芯片的正面形成保护层；

将正面形成有保护层的所述待封装芯片贴装于载板上，所述待封装芯片的正面朝上，背面朝向所述载板；

在所述载板之上对所述待封装芯片及所述保护层进行封装，形成塑封层，其中，所述保护层和所述塑封层均为有机-无机复合材料层，所述有机-无机复合材料层包括有机材料层和分散在所述有机材料层中的填料颗粒，所述填料颗粒为无机材料。

可选的，所述填料颗粒为球形。

可选的，所述填料颗粒为无机氧化物颗粒。

可选的，所述保护层的填料颗粒的粒径小于所述塑封层的填料颗粒的粒径。

可选的，所述保护层的填料颗粒的粒径为0.8微米～1.2微米；和/或，所述塑封层的填料颗粒的粒径为4微米～6微米。

可选的，在将正面形成有保护层的所述待封装芯片贴装于载板上之前，所述方法包括：

研磨所述待封装芯片的背面。

可选的，在所述形成塑封层之后，所述方法包括：

减薄所述塑封层，露出所述待封装芯片的正面的保护层；

在所述保护层上形成保护层开口，所述保护层开口位于所述待封装芯片的正面的焊垫处；

在所述待封装芯片的正面形成再布线结构，所述再布线结构用于将所述待封装芯片的正面的焊垫引出。

可选的，在所述待封装芯片的正面形成再布线结构之后，所述方法还包括：

在所述再布线结构上形成抗氧化层，其中，所述再布线结构包括导电部件以及部分地覆盖于所述导电部件上的介电层，所述抗氧化层形成于所述导电部件露出于所述介电层的部分。

可选的，所述抗氧化层包括：锡层、或自下而上堆叠的镍层与金层、或自下而上堆叠的镍层、钯层与金层。

可选的，在所述待封装芯片的正面形成再布线结构之后，所述方法包括：

剥离所述载板，露出所述待封装芯片的背面。

本申请的另一个方面提供一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：

塑封层，设有内凹的腔体；