[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：

在待封装芯片的正面形成保护层；

将正面形成有保护层的所述待封装芯片贴装于载板上，所述待封装芯片的正面朝上，背面朝向所述载板；

在所述载板之上对所述待封装芯片及所述保护层进行封装，形成塑封层，其中，所述保护层和所述塑封层均为有机-无机复合材料层，所述有机-无机复合材料层包括有机材料层和分散在所述有机材料层中的填料颗粒，所述填料颗粒为无机材料；

所述填料颗粒为球形；

在所述形成塑封层之后，所述方法包括：

减薄所述塑封层，露出所述待封装芯片的正面的保护层；

在所述保护层上形成保护层开口，所述保护层开口位于所述待封装芯片的正面的焊垫处；

在所述待封装芯片的正面形成再布线结构，所述再布线结构用于将所述待封装芯片的正面的焊垫引出；

所述保护层的填料颗粒的粒径小于所述塑封层的填料颗粒的粒径；

所述保护层的填料颗粒的粒径为0.8微米～1.2微米。

2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述填料颗粒为无机氧化物颗粒。

3.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述塑封层的填料颗粒的粒径为4微米～6微米。

4.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在将正面形成有保护层的所述待封装芯片贴装于载板上之前，所述方法包括：

研磨所述待封装芯片的背面。

5.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述待封装芯片的正面形成再布线结构之后，所述方法还包括：

在所述再布线结构上形成抗氧化层，其中，所述再布线结构包括导电部件以及部分地覆盖于所述导电部件上的介电层，所述抗氧化层形成于所述导电部件露出于所述介电层的部分。

6.如权利要求5所述的半导体封装方法，其特征在于，所述抗氧化层包括：锡层、或自下而上堆叠的镍层与金层、或自下而上堆叠的镍层、钯层与金层。

7.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述待封装芯片的正面形成再布线结构之后，所述方法包括：

剥离所述载板，露出所述待封装芯片的背面。

8.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

塑封层，设有内凹的腔体；

芯片，设于所述腔体内，且所述芯片的背面露出于所述塑封层的表面；

保护层，形成于所述芯片的正面，且所述保护层上形成有保护层开口，所述保护层开口位于所述芯片正面的焊垫对应位置处；

再布线结构，形成于所述芯片的正面，用于将所述芯片正面的焊垫引出；

其中，所述保护层和所述塑封层均为有机-无机复合材料层，所述有机-无机复合材料层包括有机材料层和分散在所述有机材料层中的填料颗粒，所述填料颗粒为无机材料；

所述填料颗粒为球形；

所述再布线结构通过如下方法形成：

减薄所述塑封层，露出待封装芯片的正面的保护层；

在所述保护层上形成保护层开口，所述保护层开口位于所述待封装芯片的正面的焊垫处；

在所述待封装芯片的正面形成再布线结构，所述再布线结构用于将所述待封装芯片的正面的焊垫引出；

所述保护层的填料颗粒的粒径小于所述塑封层的填料颗粒的粒径小；

所述保护层的填料颗粒的粒径为0.8微米～1.2微米。

9.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述填料颗粒为无机氧化物颗粒。

10.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述塑封层的填料颗粒的粒径为4微米～6微米。

11.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括抗氧化层，所述再布线结构包括导电部件以及部分地覆盖于所述导电部件上的介电层，所述抗氧化层形成于所述导电部件露出于所述介电层的部分。