[发明专利]一种启动电流产生到关断模式下小电流切换电路

说明书

一种启动电流产生到关断模式下小电流切换电路，通过双启动电阻的单独或串联组合形成不同的启动基准电流，能够使得关断模式下的关断电流很小，从而有利于芯片电路启动和关断的安全。

技术领域

本发明涉及芯片电路内的电流切换技术，特别是一种启动电流产生到关断模式下小电流切换电路，通过双启动电阻的单独或串联组合形成不同的启动基准电流，能够使得关断模式下的关断电流很小，从而有利于芯片电路启动和关断的安全。

背景技术

芯片电路中，总是存在频繁启动和关断的情形。但是，现有技术中的电路关断模式下一般关断电流做不了太小，而将关断电流做的很小的，可能电路复杂，或者需要特殊工艺支持。本发明人认为，对于芯片电路，特别是其中的高压产品，提供具有小电流切换的启动基准电流产生电路以便后续电路工作(因为有启动电流，后续电路才可以工作)，且结构简单又很容易实现，则无疑是对现有技术的贡献。如果通过双启动电阻的单独或串联组合形成不同的启动基准电流，就能够使得关断模式下的关断电流很小，从而有利于芯片电路启动和关断的安全。有鉴于此，本发明人完成了本发明。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的缺陷或不足，提供一种启动电流产生到关断模式下小电流切换电路，通过双启动电阻的单独或串联组合形成不同的启动基准电流，能够使得关断模式下的关断电流很小，从而有利于芯片电路启动和关断的安全。

本发明的技术方案如下：

一种启动电流产生到关断模式下小电流切换电路，其特征在于，包括基准电流输出端，所述基准电流输出端连接第一PMOS管的漏极，所述第一PMOS管的源极连接电源电压端，所述第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极互连后连接所述第二PMOS管的漏极，所述第二PMOS管的源极连接所述电源电压端，所述第二PMOS管的漏极连接第四NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的源极连接启动电压节点，所述启动电压节点通过串联的第一启动电阻和第二启动电阻连接接地端，所述第一启动电阻和第二启动电阻之间的中间节点连接第六NMOS管的漏极，所述第六NMOS管的栅极连接使能端，所述第六NMOS管的源极连接接地端。

当所述使能端为高电平时，所述启动电压节点的电压值除以所述第一启动电阻的电阻值即得第一启动基准电流；当所述使能端为低电平时，所述启动电压节点的电压值除以所述第一启动电阻与第二启动电阻的电阻值之和即得第二启动基准电流；所述第一启动基准电流大于所述第二启动基准电流。

所述启动电压节点连接第五NMOS管的栅极，所述第五NMOS管的源极连接接地端，所述第五NMOS管的漏极分别连接所述第四NMOS管的栅极、第三NMOS管的栅极和第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端连接所述第三NMOS管的源极，所述第三NMOS管的漏极连接所述电源电压端。

所述第三NMOS管为耗尽型NMOS管。

所述第四NMOS管为LDMOS管。

本发明的技术效果如下：本发明一种启动电流产生到关断模式下小电流切换电路，由于通过双启动电阻的单独或串联组合形成不同的启动基准电流，能够使得关断模式下的关断电流很小，从而有利于芯片电路启动和关断的安全。

附图说明

图1是实施本发明一种启动电流产生到关断模式下小电流切换电路结构示意图。